Микросхемы интегральные серий КР1158ЕН и КР1158ЕН трехвыводные стабилизаторы напряжения с низким проходным напряжением)
Общие сведения
Микросхемы интегральные серий КР1158ЕН и КФ1158ЕН - стабилизаторы фиксированного положительного напряжения с малым падением напряжения вход-выход в диапазоне выходного напряжения от 3 до 15 В предназначены для широкого применения в особенности в составе электрооборудования автотранспортных средств. Ближайшими функциональными аналогами являются микросхемы L48хх, L4945, LМ2930 и LМ2931 фирмы "SGS-ТНОМSОN".
Структура условного обозначения
КХ1158ЕНХ(33)(01)Х:
К - интегральная микросхема широкого применения;
Х - материал и тип корпуса (Р - пластмассовый типа 2,
Ф - пластмассовый микрокорпус);
1 - конструктивно-технологическое исполнение (полупроводниковое);
158 - условный порядковый номер серии;
ЕН - подгруппа и вид микросхемы по функциональному назначению
(Е - схемы вторичных источников питания,
Н - стабилизаторы напряжения непрерывные);
Х(33) - исполнение по напряжению:
Х - номинальное выходное напряжение, В (3; 5; 6; 9; 12; 15);
33 - обозначение для 3,3 В;
01 - конструктивное исполнение (тип корпуса ТО-251 или ТО-252);
Х - классификационная группа по параметрам (А, Б, В, Г). N Условия эксплуатации в соответствии с требованиями АДБК.431420.102 ТУ. АДБК.431420.102 ТУ
Технические характеристики
Типономиналы и классификационные параметры микросхем приведены в табл. 1, предельно допустимые значения режимов эксплуатации - в табл. 2, значения электрических и тепловых характеристик - в табл. 3 и 4.
Таблица 1
| Типономинал микросхемы | Номинальное выходное напряжение, В | Максимальный рабочий выходной ток, А, не менее | Предельный выходной ток, А, не более | Выходной ток КЗ, А | Тип выходной характеристики (номер рисунка) | Тип корпуса |
| КР1158ЕН301А | 3 | 0,15 | 0,7 | – | 2 | ТО-251 |
| КФ1158ЕН301А | ТО-252 | |||||
| КР1158ЕН301Б | 0,25 | 3 | ТО-251 | |||
| КФ1158ЕН301Б | ТО-252 | |||||
| КР1158ЕН3В | 0,5 | 1,2 | – | 2 | ТО-220 | |
| КФ1158ЕН3В | ТО-263 | |||||
| КР1158ЕН3Г | 0,5 | 3 | ТО-220 | |||
| КФ1158ЕН3Г | ТО-263 | |||||
| КР1158ЕН3301А | 3,3 | 0,15 | 0,7 | – | 2 | ТО-251 |
| КФ1158ЕН3301А | ТО-252 | |||||
| КР1158ЕН3301Б | 0,25 | 3 | ТО-251 | |||
| КФ1158ЕН3301Б | ТО-252 | |||||
| КР1158ЕН33В | 0,5 | 1,2 | – | 2 | ТО-220 | |
| КФ1158ЕН33В | ТО-263 | |||||
| КР1158ЕН33Г | 0,5 | 3 | ТО-220 | |||
| КФ1158ЕН33Г | ТО-263 | |||||
| КР1158ЕН501А | 5 | 0,15 | 0,7 | – | 2 | ТО-251 |
| КФ1158ЕН501А | ТО-252 | |||||
| КР1158ЕН501Б | 0,25 | 3 | ТО-251 | |||
| КФ1158ЕН501Б | ТО-252 | |||||
| КР1158ЕН5В | 0,5 | 1,2 | – | 2 | ТО-220 | |
| КФ1158ЕН5В | ТО-263 | |||||
| КР1158ЕН5Г | 0,5 | 3 | ТО-220 | |||
| КФ1158ЕН5Г | ТО-263 | |||||
| КР1158ЕН601А | 6 | 0,15 | 0,7 | – | 2 | ТО-251 |
| КФ1158ЕН601А | ТО-252 | |||||
| КР1158ЕН601Б | 0,25 | 3 | ТО-251 | |||
| КФ1158ЕН601Б | ТО-252 | |||||
| КР1158ЕН6В | 0,5 | 1,2 | – | 2 | ТО-220 | |
| КФ1158ЕН6В | ТО-263 | |||||
| КР1158ЕН6Г | 0,5 | 3 | ТО-220 | |||
| КФ1158ЕН6Г | ТО-263 | |||||
| КР1158ЕН901А | 9 | 0,15 | 0,7 | – | 2 | ТО-251 |
| КФ1158ЕН901А | ТО-252 | |||||
| КР1158ЕН901Б | 0,25 | 3 | ТО-251 | |||
| КФ1158ЕН901Б | ТО-252 | |||||
| КР1158ЕН9В | 0,5 | 1,2 | – | 2 | ТО-220 | |
| КФ1158ЕН9В | ТО-263 | |||||
| КР1158ЕН9Г | 0,5 | 3 | ТО-220 | |||
| КФ1158ЕН9Г | ТО-263 | |||||
| КР1158ЕН1201А | 12 | 0,15 | 0,7 | – | 2 | ТО-251 |
| КФ1158ЕН1201А | ТО-252 | |||||
| КР1158ЕН1201Б | 0,25 | 3 | ТО-251 | |||
| КФ1158ЕН1201Б | ТО-252 | |||||
| КР1158ЕН12В | 0,5 | 1,2 | – | 2 | ТО-220 | |
| КФ1158ЕН12В | ТО-263 | |||||
| КР1158ЕН12Г | 0,5 | 3 | ТО-220 | |||
| КФ1158ЕН12Г | ТО-263 | |||||
| КР1158ЕН1501А | 15 | 0,15 | 0,7 | – | 2 | ТО-251 |
| КФ1158ЕН1501А | ТО-252 | |||||
| КР1158ЕН1501Б | 0,25 | 3 | ТО-251 | |||
| КФ1158ЕН1501Б | ТО-252 | |||||
| КР1158ЕН15В | 0,5 | 1,2 | – | 2 | ТО-220 | |
| КФ1158ЕН15В | ТО-263 | |||||
| КР1158ЕН15Г | 0,5 | 3 | ТО-220 | |||
| КФ1158ЕН15Г | ТО-263 |
Таблица 2
| Наименование параметра | Буквенное обозначение | Значение параметра |
| Входное постоянное напряжение, В | Ui mах | 37 |
| Входное импульсное напряжение (экспоненциальный | Ui и mах | 60 |
| Входное напряжение переполюсовки, В | –Ui mах | –18 |
| Входное импульсное отрицательное напряжение (экспоненциальный импульс, t спада =100 мс) | –Ui и mах | –40 |
| Выходной ток, мА, для групп: | Iо mах | 700 1200 |
Таблица 4
| Наименование параметра | Буквенное обозначение | Значение параметра |
| Тепловое сопротивление кристалл–корпус, ° С/Вт, для типов корпусов: | Rtjс | 10 5 |
| Тепловое сопротивление кристалл–среда, ° С/Вт, для типов корпусов: | RtJА | 100 60 |
| Рабочий диапазон температуры окружающей среды, ° С | Та | –40...+85 |
| Максимальная температура кристалла, ° С | TJ mах | 150 |
Таблица 3
| Наименование параметра | Буквенное обозначение | Значение параметра для типономиналов микросхем | Режим измерения* | ||||||
| КР(Ф)1158ЕН301А(Б); КР(Ф)1158ЕН3В(Г) | КР(Ф)1158ЕН3.301А(Б); КР(Ф)1158ЕН3.3В (Г) | КР(Ф)1158ЕН501А(Б); КР(Ф)1158ЕН5В(Г) | КР(Ф)1158ЕН601А(Б); КР(Ф)1158ЕН601В(Г) | КР(Ф)1158ЕН901А(Б); КР(Ф)1158ЕН901В(Г) | КР(Ф)1158ЕН1201А (Б); КР(Ф)1158ЕН12В(Г) | КР(Ф)1158ЕН1501А(Б); КР(Ф)1158ЕН15В (Г) | |||
| Выходное напряжение, В | Uо | 2,88–3,12 | 3,17–3,43 | 4,8–5,2 | 5,76–6,24 | 8,64–9,36 | 11,52–12,48 | 14,4–15,6 | Ui=от Ui min** до 30 В |
| 2,82–3,18 | 3,1–3,5 | 4,7–5,3 | 5,64–6,36 | 8,46–9,54 | 11,28–12,72 | 14,1–15,9 | –40 ? ТJ ? 125 ° С | ||
| Нестабильность по напряжению, %/В, не более | Кu | 0,05 | Io = 5 мА | ||||||
| Нестабильность по току, %/А, | Кi | 6,9 3 |
| ||||||
| Минимальное падение напряжения, В, не более, для групп: | Uпд min | 0,4 0,6 |
| ||||||
| Ток потребления, мА, не более | Iсс | 3 20 65 | Io = 0 | ||||||
| Выходной ток КЗ, мА, не более, | Iоs | 250 500 | – | ||||||
| Температурный коэффициент | a u | 0,02 | – | ||||||
| * При Ui = 14 В, С1 = 0,1, мкФ, С2 = 10 мкФ, TJ= 25 ° С, если не указано другое.** Ui min=Uо ном +1 В. | |||||||||
Таблица к рис. 1
| Номер вывода | Обозначение вывода | Назначение вывода |
| 1 | INР | Вход |
| 2 (4) | GND | Общий |
| 3 | ОUТ | Выход |
б - ТО-252. Масса не более 0,4 г;
в - ТО-220 (КТ-28-2). Масса не более 2,5 г;
г - ТО-263. Масса не более 1,5 г
Структурная схема микросхем серий КР1158ЕН и КФ1158ЕН: 1 - схема защиты от перенапряжений;
2 - источник опорного напряжения;
3 - усилитель ошибки;
4 - схема ограничения выходного тока;
5 - схема защиты от перегрева;
VT1, VT2 - транзисторы;
R1, R2 - резисторы;
INP, GND (2), OUT - по рис. 1 Микросхемы имеют встроенную защиту от положительных кратковременных высоковольтных выбросов входного напряжения, защиты при подключении входного напряжения в обратной полярности и от перегрева. Для ограничения рассеиваемой мощности введена блокировка выходного напряжения при входном напряжении более 30 В. Микросхемы не выходят из строя при кратковременном подключении выводов в зеркальной последовательности. При превышении режима по одному из параметров (U ? 30 В;
Iо ? 500 мА для группы В, Г или Iо ? 150 мА для группы А, Б;
То ? 150°С) происходит срабатывание схем внутренней защиты микросхемы - стабилизатор выключается. Микросхемы выпускаются с выходной характеристикой при срабатывании защиты от КЗ по выходу как без ограничения (рис. 3), так и с ограничением мощности (рис. 4).
Выходная характеристика микросхем серий КР1158ЕН и КФ1158ЕН при срабатывании без ограничения мощности
Выходная характеристика микросхем серий КР1158ЕН и КФ1158ЕН при срабатывании с ограничением мощности Гарантии предприятия-изготовителя - по ГОСТ 18725-83. Гарантийная наработка 50 000 ч. 95%-ный срок сохраняемости 10 лет. РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПРИМЕНЕНИЮ Схемы включения микросхем приведены на рис. 5-9.
Типовая схема включения микросхем серий КР1158ЕН и КФ1158ЕН: С1 - конденсатор емкостью 0,1 мкФ;
С2 - конденсатор емкостью 10 мкФ;
1-3 - по рис. 1.
Рекомендуемая схема включения микросхем серий КР1158ЕН и КФ1158ЕН при использовании в составе электрооборудования автотранспортных средств: VD1, VD2 - диоды;
остальные обозначения - по рис. 5
Схема включения микросхем серий КР1158ЕН и КФ1158ЕН с питанием от повышенного напряжения: R1 - резистор;
остальные обозначения - по рис. 5
Схема включения микросхем серий КР1158ЕН и КФ1158ЕН при использовании в качестве стабилизатора тока: обозначения - по рис. 5 и 7
Схема включения микросхем серий КР1158ЕН и КФ1158ЕН на ток нагрузки более 500 мА: VT1 - транзистор;
остальные обозначения - по рис. 5 Примечание. VT1 и R1 выбираются в соответствии с уровнем тока нагрузки Для обеспечения устойчивой работы микросхем во всем диапазоне допустимых значений входного напряжения и выходного тока рекомендуется применять навесные конденсаторы. Монтаж этих конденсаторов должен выполняться предельно короткими проводниками и, по возможности, непосредственно рядом с соответствующими выводами стабилизатора. Входной конденсатор С1 (рис. 5) необходим в том случае, когда стабилизатор установлен далеко от фильтра источника питания. Выходной конденсатор цепи С2 (рис. 5) обеспечивает отсутствие возбуждения выходного напряжения. Рекомендуемое номинальное значение емкости 10 мкФ является минимальным. В зависимости от схемы применения и других факторов может потребоваться значительное увеличение номинала конденсатора. Высокочастотные характеристики электролитических конденсаторов очень зависят от их типа. Например, для устойчивости стабилизатора требуется алюминиевый электролитический конденсатор, используемый в большинстве прикладных схем, емкостью 100 мкФ, такой же коэффициент стабилизации может быть получен с танталовым электролитическим конденсатором емкостью 47 мкФ. Другой критической характеристикой электролитических конденсаторов является рабочий диапазон температур. У большинства алюминиевых конденсаторов электролит замерзает при температуре минус 30°С. В результате эффективная емкость падает до нуля. Для обеспечения устойчивой работы стабилизатора и повышения устойчивости выходного напряжения при более низком уровне температуры окружающей среды необходимо применение специальных конденсаторов (например, танталовых). В тоже время при температуре окружающей среды не менее 25°С емкость выходного конденсатора может быть уменьшена приблизительно в два раза по сравнению с емкостью, необходимой для эксплуатации в полном температурном диапазоне. Поскольку характеристики конденсаторов заметно варьируются в зависимости от торговой марки и качества конкретно поставляемой партии конденсаторов, рекомендуется проводить их дополнительные испытания с тем, чтобы получить реальную оценку минимального значения емкости конденсатора, которую можно применять в конкретной схеме включения стабилизатора. Критичным для такой оценки является режим работы схемы при минимальной температуре кристалла и окружающей среды одновременно с максимально возможным током нагрузки. Найденное значение емкости должно быть удвоено, чтобы учесть производственный разброс параметров конденсаторов и стабилизаторов. Емкость выходного конденсатора рекомендуется выбирать по возможности больше найденного значения. Одним из положительных результатов такого завышенного значения емкости является повышение вероятности удержания режима стабилизации выходного напряжения даже при коротких отрицательных выбросах входного напряжения. Для защиты стабилизатора от положительных кратковременных высоковольтных выбросов входного напряжения в микросхеме используется цепочка стабилитронов с резистором. Минимальное напряжение срабатывания 30 В. Дополнительно при включении стабилитронов происходит закорачивание перехода база-эмиттер регулирующего транзистора для повышения его пробивного напряжения до значения U. Быстродействие срабатывания цепочки обеспечивает защиту от выбросов со скоростью нарастания до 10 В/мкс. При этом происходит выключение стабилизатора на время действия перенапряжения. Защита от отрицательных кратковременных импульсов и при переполюсовке обеспечивается высоким сопротивлением в цепи протекания тока от общего вывода до входа и большим инверсным пробивным напряжением регулирующего р-n-р транзистора. В стабилизаторах группы А и В в случае КЗ на выходе ток ограничивается его максимальным значением. Специальная схема воздействует на базу выходного транзистора, предотвращая увеличение тока выше установленного значения (рис. 3). В стабилизаторах группы Б и Г встроена схема токоограничения с падающей характеристикой (рис. 4) для уменьшения мощности, рассеиваемой как на стабилизаторе, так и на нагрузке, в случае КЗ. Особенно актуально такое ограничение в автономных источниках питания для ограничения разряда аккумуляторов. Ток ограничивается на низком уровне (Iоs около 150-350 мА) сразу после того, как он превысил максимальное значение. При этом значение выходного напряжения пропорционально значению тока Iоs, протекающему через нагрузку. Когда перегрузка устранена, выходное напряжение вернется к нормальной величине лишь в случае, если новая статическая линия нагрузки не будет пересекать нагрузочную характеристику стабилизатора в области с отрицательным ее наклоном. Если это произойдет, то новая рабочая точка установится в их пересечении. По сравнению с аналогом L48хх, точка излома области с отрицательным наклоном (точка А на рис. 4) находится гораздо ниже и оценивается как U~0,52Uо ном. Это позволяет снизить вероятность ложного защелкивания микросхемы при включении. Нагрузка с большой емкостной составляющей между выходом стабилизатора и общей шиной (включая и внешний компенсационный конденсатор) для стабилизатора равноценна КЗ при включении питания. И пока нагрузочный конденсатор не зарядится до номинального напряжения, стабилизатор будет выдавать ток КЗ. Этот фактор очень важен для правильного выбора мощности источника входного напряжения стабилизатора. Даже очень маленькая по постоянному току нагрузка в таких случаях ведет себя как максимальная нагрузка и мощность, потребляемая от источника входного напряжения, складывается из мощности за счет тока КЗ в нагрузке и мощности за счет тока потребления стабилизатора. Для повышения надежности работы стабилизатора во всех режимах работы в состав микросхемы введена схема тепловой защиты. По достижении температуры кристалла более 150°С происходит полное выключение стабилизатора на время, пока температура кристалла не опустится ниже 150°С. Оценка тепловых характеристик микросхем приводится в информационных материалах предприятия-изготовителя.
В комплект поставки входят: микросхема и эксплуатационная документация. Примечание. Возможна поставка полузаказных микросхем на фиксированное выходное напряжение в диапазоне от 3 до 15 В с дискретностью задания 0,1 В.
Характеристики Электротехнического оборудования
Характеристики станков
Характеристики КПО
Характеристики импортного оборудования
Характеристики насосного оборудования
Марки стали и сплавов
Прочее оборудование
