Микросхемы интегральные КР1125КП3А, КР1125КП3Б и КР1125КП3В (симметричные интегральные диодные переключатели)
Общие сведения
Микросхемы интегральные КР1125КП3А, КР1125КП3Б и КР1125КП3В предназначены для использования в схемах фазовых регуляторов с питанием от сети переменного тока и других импульсных схемах.
Структура условного обозначения
КР1125КП3Х:
К - интегральная микросхема широкого применения;
Р - материал и тип корпуса (пластмассовый типа 2);
1 - конструктивно-технологическое исполнение микросхемы
(полупроводниковая);
125 - условный порядковый номер серии;
КП - подгруппа и вид микросхемы по функциональному назначению
(К - коммутаторы и ключи, П - прочие);
3 - условный номер разработки микросхемы в данной серии по
функциональному признаку;
Х - буквенное обозначение, характеризующее микросхему по
электрическим параметрам (А, Б, В).
Условия эксплуатации
Климатическое исполнение и категория размещения УХЛ3.1 по ГОСТ 15150-69. Климатические и механические воздействия по ГОСТ 18725-83. Температура окружающей среды от минус 60 до 100°С. Линейное ускорение 500g. Микросхемы соответствуют требованиям ТУ 11-93 АДБК.431160.193 ТУ/02. ТУ 11-93 АДБК.431160.193 ТУ/02
Технические характеристики
Типономиналы и электрические параметры микросхем приведены в табл. 1, значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации - в табл. 2.
Таблица 1
| Наименование параметра | Буквенное обозначение | Значение параметра для микросхем типономиналов | Температура окружающей среды, q окр, ° С | ||
| КР1125КП3А | КР1125КП3Б | КР1125КП3В | |||
| Напряжение переключения, В | Uпрк | 7,5–9,5 | 14–16 | 19–23 | 25±10, 85±3, –60±3 |
| Нессиметрия разнополярных напряжений переключений, В, не более | D Uпрк | 1 | 25±10 | ||
| Ток переключения, мА, не более | Iпрк | 0,15 | |||
| Постоянное напряжение в открытом состоянии, В | Uос | 1,2–3,5 | |||
| Ток удержания, мА, не более | Iуд | 1 | –60±3 | ||
| Время включения, мс, не более (Rогр=1 кОм) | tвкл | 80 | 25±10 | ||
| Предельно допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии, В, не более | Uзс | 5 | 10 | 15 | – |
| Ток утечки при U=Uзс, мА, не более | Iут | 0,02 0,03 | 25±10 85±3 | ||
| Примечание. Режим измерения параметров: Uпрк и D Uпрк –ток источника питания (Iп) в цепи микросхемы частотой 50 Гц не менее 50 мА; амплитудное значение напряжения источника питания (Uп) в цепи микросхемы с частотой следования импульсов напряжения 50 Гц и крутизной фронта нарастания не более 0,1 В/мкс не менее 40 В. | |||||
Таблица 2
| Наименование параметра | Буквенное обозначение | Значение параметра для всех типономиналов микросхем |
| Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии, В/мкс, не более | dUзс/dt | 0,1 |
| Повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии, А | Iос.п | 0,6–3 |
| Рассеиваемая мощность в открытом состоянии, мВт, не более, при температуре окружающей среды, ° С: | Рос | 250 50 |
| Примечания: 1. При Iос.п от 0,6 до 3 А частота следования импульсов не более 50 Гц, емкость накопительного конденсатора не более 1 мкФ, сопротивление измерительного резистора 1 Ом. | ||
Вольт-амперная характеристика микросхем КР1125КП3А, КР1125КП3Б и КР1125КП3В: Iа - анодный ток;
Uа - анодное напряжение
Зависимость тока переключения Iпрк от температуры окружающей среды qокр (для 95% микросхем)
Зависимость отношения токоудержания Iуд к току переключения Iпрк от температуры окружающейсреды qокр (для 95% микросхем)
Зависимость тока удержания Iуд от температуры окружающей среды qокр (для 95% микросхем) Варианты схемы включения микросхем представлены на рис. 5.
Схемы включения микросхем КР1125КП3А, КР1125КП3Б и КР1125КП3В с использованием: а - несимметричного триодного тиристора: Е - блок нагрузки;
R1 - регулируемый времязадающий резистор сопротивлением не более 1 МОм, обеспечивающий регулирование фазы включения;
R2 - резистор сопротивлением не более 51 Ом;
С - конденсатор емкостью не более 1 мкФ;
VS - тиристор;
D - микросхема;
б - симметричного триодного тиристора: VS - симметричный тиристор;
остальные обозначения - по рис. 5, а Примечание. Потребителям разрешается изменять схемы включения при условии соблюдения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации. Количество элементов в электрической схеме: 16 (КР1125КП3А), 18 (КР1125КП3Б) и 20 (КР1125КП3В). Тип корпуса - КТ-26 по ГОСТ 18472-88. Масса микросхем в корпусе КТ-26 не более 0,3 г. Показатели надежности: гарантийная наработка 50 000 ч (60 000 - в облегченном режиме: qокр=(50+3)°С, Uп=35 В, Iос=50 мА, f=50 Гц) в пределах гарантийного срока хранения 10 лет;
интенсивность отказов в течение гарантийной наработки не более 10-6 1/ч;
гамма-процентный срок сохраняемости при g=95% - 10 лет. Гарантии предприятия-изготовителя по ГОСТ 18725-83. РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПРИМЕНЕНИЮ И ЭКСПЛУАТАЦИИ Рекомендации по применению и эксплуатации микросхем по ГОСТ 18725-83. Допустимое значение статического потенциала 2000 В. Микросхемы предназначены для автоматизированной сборки (монтажа) аппаратуры и соответствуют требованиям ГОСТ 20.39.405-84 (конструктивно-технологическая группа VIII, исполнение 4), а также для ручной сборки (монтажа), что указывается в договоре на поставку. Режим и условия монтажа микросхем в аппаратуре - по ОСТ 11 073.063-84. Микросхемы пригодны для монтажа в аппаратуре методом групповой пайки или паяльником при температуре не выше 265°С продолжительностью пайки не более 4 с. Число допустимых перепаек выводов микросхемы при проведении монтажных (сборочных) операций не более 2. Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не менее 3 мм от корпуса микросхемы. При креплении к печатной плате микросхемы распаивают за выводы. При пайке обязательно применение мер, предохраняющих микросхему от попадания на корпус флюса и припоя. При монтаже микросхем в аппаратуре допускается изгиб выводов на расстоянии не менее 3 мм от корпуса микросхемы под углом 90° с радиусом изгиба не менее 2,2 мм, при этом должны приниматься меры, исключающие передачу усилий на корпус микросхемы. Выводы выдерживают растягивающее усилие 2,5 Н. Микросхемы трудногорючие. Аварийный электрический режим: Uп=60 В, Iос=100 мА, f=50 Гц. Микросхема обеспечивает: фазовое регулирование в бесконтактных схемах для изменения яркости ламп накаливания;
формирование импульсов в зажигающих устройствах для мощных газоразрядных ламп;
функции автогенератора пилообразных импульсов;
возможность использования в пороговых устройствах РЭА. При скоростях нарастания напряжения на закрытой микросхеме не более 0,1 В/мкс, напряжения переключения сохраняется в пределах, указанных в табл. 1. Допускается формирование последовательности импульсов при условии соблюдения предельно допустимых режимов, указанных в табл. 2. Частота следования импульсов определяется значением скорости нарастания напряжения на микросхеме. Микросхема содержит два комплементарных несимметричных тиристора при включении "анод I - катод" и "анод II - катод", способных работать одновременно, независимо друг от друга, при условии соблюдения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации, при этом повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии 0,25-1,2 А, напряжение переключения: 7-9 В (КР1125КП3А), 13,5-15,5 В (КР1125КП3Б), 18,5-22,5 В (КР1125КП3В), обратное напряжение пробоя 1,5 В при постоянном обратном токе 10 мА. При эксплуатации микросхем в диапазоне температуры от минус 60 до 60°С допускается увеличение скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии до 1 В/мкс. Импульсный ток управления через управляемый тиристор (рис. 5, 6) определяется входным сопротивлением цепи управляющего электрода тиристора и сопротивлением открытого диодного переключателя. Импульсный ток измеряется потребителем для каждого типа управляемого тиристора в соответствии с примечанием 1 к табл. 2.
В комплект поставки входят: микросхема и этикетка.
Характеристики Электротехнического оборудования
Характеристики станков
Характеристики КПО
Характеристики импортного оборудования
Характеристики насосного оборудования
Марки стали и сплавов
Прочее оборудование
