Высоковольтные -p- составные биполярные мощные транзисторы КТ834А, КТ848А, КТ890А и КТ890А1

Общие сведения

Транзисторы составные биполярные переключательные КТ834А, КТ848А, КТ890А и КТ890А1 предназначены для использования в качестве выходных ключей электронных коммутаторов систем зажигания автомобилей, а также в схемах управления электроприводом.

Структура условного обозначения

КТ8ХА(1):
КТ - транзистор кремниевый биполярный;
8 - обозначение назначения транзистора (большой мощности
с граничной частотой от 3 до 30 МГц);
Х - порядковый номер разработки (34; 48; 90);
А - классификационная группа по параметрам;
1 - конструктивное исполнение (тип корпуса КТ-43А-2).

Условия эксплуатации

Условия эксплуатации транзистора КТ834А в соответствии с требованиями аАО.336.471 ТУ-95, транзистора КТ848А - аАО.336.539 ТУ-95, транзисторов КТ890А и КТ890А1 - АДБК.432.148. 010 ТУ-94. Температура окружающей среды от минус 60 до 100°С (КТ834А) и до 125°С (КТ848А, КТ890А и КТ890А1). Температура корпуса транзисторов от минус 45 до 100°С (КТ834А) и до 125°С (КТ848А, КТ890А и КТ890А1). аАО.336.471 ТУ-95;аАО.336.539 ТУ-95;АДБК.432.148.010 ТУ-94

Технические характеристики

Предельно допустимые значения параметров приведены в табл. 1, статические и динамическое характеристики в табл. 2.

Таблица 1

Наименование параметра Буквенное обозначение Значение параметра для транзисторов типов Режим измерения*
КТ834А КТ848А КТ890А КТ890А1

Граничное напряжение, В

 UКЭО гр 400 350

IK=0,1 А
LK=40 мГн

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, В

 UКЭR mах 500 520 –

IКЭR=3 мА
RБЭ:
100 Ом – КТ834А;
1000 Ом – КТ848А

Максимально допустимое напряжение эмиттер-база, В

 UЭБО mах 5

IЭБО=0,05 А
IК=0

Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А

 IK mах 15 20 _

Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А

 IK, имп mах 20 15 20

Максимально допустимый постоянный ток базы, А

 IБ mах 3,5 1

Максимально допустимый импульсный ток базы, А

 IБ, имп mах – 5

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт

 pK mах 100 87 100 60

ТП=150 ° С

Максимально допустимая импульсная энергия, мДж

 EИМП mах 250 –

IK=10 А
LK=5 мГн

Максимально допустимая энергия вторичного пробоя, мДж

 EВП mах – 320

IK=8 А
LK=10 мГн

Максимально допустимая температура перехода, ° С

 TП mах 150 –

* Температура корпуса 25 ° С

Таблица 2

Наименование параметра Буквенное обозначение Значение параметра для транзисторов типов Режим измерения*
КТ834А КТ848А КТ890А КТ890А1

Обратный ток коллектор-эмиттер, мА, при:
заданном сопротивлении в цепи базы-эмиттер:
типовой
максимальный

 IКЭR



0,3
3



–
–

UКЭR:
500 В – КТ834А;
520 В – КТ848А
RБЭ:
100 Ом – КТ834А;
1 кОм – КТ848А

разомкнутом выводе базы:
максимальный
IКЭО
–
50

UКЭО=350 В
IБ=0

Максимальный обратный ток эмиттер-база, мА

 IЭБО 50

UЭБО:
5 В – КТ834А, КТ848
А, КТ890А;
6 В – КТ890А1
IК=0

Минимальный статический коэффициент
передачи тока

 h21Э
150
20
300

IK:
5 А – КТ834А, КТ890А
и КТ890А1;
15 А – КТ848А
UКЭ:
5 В – КТ834А
и КТ848А;
10 В – КТ890А
и КТ890А1

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В:
типовое

 UКЭ нас

1,6

–

1,6

IK:
15 А – КТ834А;
10 А – КТ848А;
7 А – КТ890А
и КТ890А1
IБ:
1,5 А – КТ834А;
0,15 А – КТ848 А;
0,07 А – КТ890А
и КТ890А1

максимальное

 2

Напряжение насыщения база-эмиттер, В:
 типовое

 UБЭ нас

2

–

2

  максимальное

 2,5

Время спада коллекторного тока, мкс:
  типовое

 tСП

0,5

0,75

0,5

IK:
10 А – КТ834А;
7 А – КТ848А,
КТ890А и КТ890А1
IБ:
  ±1 А – КТ834А;
  ±0,07 А – КТ848А,
КТ890А и КТ890А1

  максимальное

 12 –

Прямое напряжение на диоде, В:
минимальное
типовое
максимальное

UFD
–1,4
2
2,5

IFD=10 А

Максимальное тепловое сопротивление
переход-корпус, ° С/Вт

 RТП-К
1,25
1,43
1,25
2,08

UКЭ=20 В
IK:
5 А – КТ834А;
4,35 А – КТ848А;
5 А – КТ890А;
3 А – КТ890А1

* Температура корпуса 25 ° С

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзисторов КТ834А и КТ890А в корпусе КТ-9 (ТО-3) представлены на рис. 1, транзистора КТ890А в корпусе КТ-43-2 (ТО-218) - на рис. 2, транзистора КТ890А1 в корпусе КТ-43А-2 (ISОWАТТ 218) - на рис. 3, электрические схемы транзисторов - на рис. 4, а-в.

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзисторов КТ834А и КТ848А в корпусе КТ-9: 1 - база;
2 - коллектор;
3 - эмиттер

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ890А в корпусе КТ-43-2: 1-3 - по рис. 1

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ890А1 в корпусе КТ-43А - 2: 1-3 - по рис. 1

Электрическая схема транзисторов: а - КТ834А: VT1, VT2 - транзисторы;
VD1 - ускоряющий диод;
VD2 - демпферный диод;
R1 - согласующий резистор 300 Ом;
R2 - согласующий резистор 40 Ом;
1-3 - по рис. 1;
б - КТ848А: VD1 - демпферный диод;
R1 - согласующий резистор 400 Ом;
R2 - согласующий резистор 50 Ом;
VT1, VT2 - по рис. 4, а;
1-3 - по рис. 1;
в - КТ890А; КТ890А1: VD1 - стабилитрон;
R1 - согласующий резистор 400 Ом;
R2 - согласующий резистор 50 Ом;
VT1, VT2, VD2 - по рис. 4, а;
1-3 - по рис. 1 Масса транзисторов КТ834А и КТ848А не более 20 г, транзисторов КТ890А и КТ890А1 - не более 5 г. Показатели надежности: минимальное время наработки 15 000 ч;
интенсивность отказов в течение времени наработки не более 10-6 1/ч;
минимальный 99,5% срок сохраняемости транзистора 10 лет.

В комплект поставки входят: транзисторы; этикетка (паспорт) с краткими техническими данными транзисторов; потребительская тара. Типовое количество транзисторов в единице тары 100 шт.

Характеристики Электротехнического оборудования

Характеристики станков

Характеристики КПО

Характеристики импортного оборудования

Характеристики насосного оборудования

Марки стали и сплавов

Прочее оборудование
© Машинформ | Справочник содержания драгоценных металлов | mashinform@bk.ru