Высоковольтные -p- мощные биполярные транзисторы КТ845А, КТ859А, КТ8108А, Б и КТ8127Б1

Общие сведения

Транзисторы биполярные переключательные КТ845А, КТ859А, КТ8108А, Б и КТ8127Б1 предназначены для использования в качестве ключевых элементов в составе сетевых источников вторичного электропитания, в схемах активной корректировки коэффициента мощности, в высоковольтных преобразователях напряжения "DС-DС" и "DС-АС".

Структура условного обозначения

КТ8ХХ(1):
КТ - транзистор кремниевый биполярный;
8 - обозначение назначения транзистора (большой мощности
с граничной частотой от 3 до 30 МГц);
Х - порядковый номер разработки (45; 59; 108; 127);
Х - классификационная группа по параметрам (А; Б);
1 - конструктивное исполнение (тип корпуса КТ-43В-2).

Условия эксплуатации

Условия эксплуатации транзистора КТ845А в соответствии с требованиями аАО.336.595 ТУ-95, транзистора КТ859А - аАО.336.554 ТУ-95, транзисторов КТ8108А, Б - АДБК.432.140.181 ТУ-95 и транзистора КТ8127Б1 - АДБК.432.140. 319 ТУ-94. Температура окружающей среды от минус 60 до 100°С. Температура корпуса транзистора от минус 45 (КТ845А, КТ8127Б1) и минус 40 (КТ859А и КТ8108А, Б) до 100°С. аАО.336.595 ТУ-95;аАО.336.554 ТУ-95;АДБК.432.140.181 ТУ-95;АДБК.432.140.319 ТУ-94

Технические характеристики

Предельно допустимые значения параметров транзисторов приведены в табл. 1, статические и динамические характеристики - в табл. 2.

Таблица 1

Наименование параметра Буквенное обозначение Значение параметра для транзисторов типов Режим измерения*
КТ845А КТ859А КТ8108А, Б КТ8127Б1

Граничное напряжение, В

 UКЭО гр 400 500 700

IK=0,1A
LK=40 мГн

Максимально допустимое напряжение коллектор-база, В

 UКБО mах
700
–

IКБО=1 мА
IЭ=0

Максимально допустимое напряжение эмиттер-база, В

 UЭБО mах
4
10
5
7

IЭБО:
15 мА – КТ845А;
10 мА – КТ859А;
1 мА – КТ8108А;
0,1 мА – КТ8127Б1
IК=0

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, В, при:
заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер

 UКЭR mах

–

800

–

–

IКЭR=1 мА
RБЭ=10 Ом

КЗ в цепи база-эмиттер

 UКЭК mах – – 850 1200

IКЭК:
1 мА – КТ8108А, Б;
0,9 мА – КТ8127Б1
RБЭ=0

Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А

 IК mах 3 5 –

Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А

 IК, ИМП mах 5 4 5 4

Максимально допустимый постоянный ток базы, А

 IБ mах 1,5 1 3

Максимально допустимый импульсный ток базы, А

 IБ, ИМП mах 4 1,5 5 4

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт

 РК mах 40 70 56

ТП=ТП мах
ТК=50 ° С (КТ845А
и КТ859А)

Максимально допустимая температура перехода, ° С

 ТП mах 175 150 115 –

* Температура корпуса 25 ° С

Таблица 2

Наименование параметра Буквенное обозначение Значение параметра для транзисторов типов Режим измерения*
КТ845А КТ859А КТ8108А, Б КТ8127Б1

Обратный ток коллектор-эмиттер, мА, при:
заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер:
типовой
максимальный
короткозамкнутых выводах эмиттера и базы:
типовой
максимальный
UКЭR


UКЭК

0,1
3

–
–

–
–

–
–

–
–

0,1
0,5

–
–

0,1
0,9

UКЭR=700 В
RБЭ=10 Ом


UКЭК:
850 В – КТ8108А, Б;
1200 В – КТ8127Б1
RБЭ=0

Обратный ток коллектор-база, мА:
типовой
максимальный

 UКБО
–
–
0,1
1
–
–

UКБО=800 В
IЭ=0

Обратный ток эмиттер-база, мА:
типовой

 UЭБО

1

0,1

0,01

UЭБО:
4 В – КТ845А;
10 В – КТ859А;
5 В – КТ8108А, Б
и КТ8127Б1
IК=0

максимальный

 15 10 1 10

Статический коэффициент передачи тока:

минимальный


типовой


максимальный



 h21Э 15


40


100

 10


20


–

 10**; 40***


20**; 60***


50**; 80***



35(h21Э1)

IK:
2 А – КТ845А;
1 А – КТ859А;
0,5 А – КТ8108А, Б
и КТ8127Б1
(для h21Э2);
30 мА – КТ8127Б1
(для h21Э1)
UКЭ:
5 В – КТ845А,
КТ8108А, Б
и КТ8127Б1
10 В – КТ859А

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В:
типовое
максимальное

UКЭ нас 1
1,5		 0,5
1		 1
1,5

IK:
2 А – КТ845А
и КТ8127Б1;
1 А – КТ859А;
2,5 А – КТ8108А, Б

IБ:
0,4 А – КТ845А;
0,2 А – КТ859А;
0,5 А – КТ8108А, Б;
2 А – КТ8127Б1

Напряжение насыщения база-эмиттер, В:
типовое

 UБЭ нас

1,3

1,1

максимальный

 1,8 1,4 1,5

Время спада коллекторного тока, мкс:

типовое

максимальное

 tСП  

–

0,35

  

0,35

0,5

  

0,25

0,3

  

0,4

0,7

IK:
2,5 А – КТ845А
и КТ8108А, Б;
1 А – КТ859А;
4,5 А – КТ8127Б1
IБ:
  ±0,4 А – КТ845А;
  ±0,2 А – КТ859А;
  ±0,5 А – КТ8108А, Б;
  ±1,4 А – КТ8127Б1

Тепловое сопротивление переход-корпус, ° С/Вт:

типовое
максимальное

 RТ П-К 2
3,12		 –
2,5		 –
1,78		 –
1,6

UKЭ:
20 В – КТ845А,
КТ859А и КТ8108А, Б;
15 В – КТ8127Б1
IK:
2 А – КТ845А
и КТ859А;
3,5 А – КТ8108А, Б;
0,78 А – КТ8127Б1

* Температура корпуса 25 ° С, если не указано иное.
** Для классификационной группы А.
*** Для классификационной группы Б.

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ845А в корпусе КТ-9 (ТО-3) представлены на рис. 1, транзисторов КТ859А и КТ8108А, Б в корпусе КТ-28 (ТО-220) - на рис. 2, транзистора КТ8127Б1 в корпусе КТ-43В-2 (ТО-3Р) - на рис. 3, электрическая схема транзисторов - на рис. 4.

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ845А в корпусе КТ-9: 1 - база;
2 - коллектор;
3 - эмиттер

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзисторов КТ859А и КТ8108А, Б в корпусе КТ-28: 1-3 - по рис. 1

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ8127Б1 в корпусе КТ-43В-2: 1-3 - по рис. 1

Электрическая схема транзисторов КТ845А, КТ859А, КТ8108А, Б и КТ8127Б1: VT1 - транзистор;
1-3 - по рис. 1 Масса транзистора КТ845А не более 20 г, транзисторов КТ859А и КТ8108А, Б - не более 3 г, транзистора КТ8127Б1 - не более 5 г. Показатели надежности: минимальное время наработки 15 000 ч;
интенсивность отказов в течение времени наработки не более 10-6 1/ч;
минимальный 99,5% срок сохраняемости транзисторов 10 лет.

В комплект поставки входят: транзисторы, этикетка (паспорт) с краткими техническими данными транзисторов, потребительская тара. Типовое количество транзисторов в единице тары 100 шт. (КТ845А и КТ8127Б1) и 200 шт. (КТ859А и КТ8108А, Б).

Характеристики Электротехнического оборудования

Характеристики станков

Характеристики КПО

Характеристики импортного оборудования

Характеристики насосного оборудования

Марки стали и сплавов

Прочее оборудование
© Машинформ | Справочник содержания драгоценных металлов | mashinform@bk.ru