Высоковольтные -p- мощные биполярные транзисторы КТ839А, КТ847А и КТ886Б1

Общие сведения

Транзисторы биполярные переключательные КТ839А, КТ847А и КТ886Б1 предназначены для использования в качестве ключевых элементов в составе мощных преобразователей напряжения, в схемах управления электроприводом, в электронных сварочных аппаратах и устройствах катодной защиты газо и трубопроводов.

Структура условного обозначения

КТ8ХХ(1):
КТ - транзистор кремниевый биполярный;
8 - обозначение назначения транзистора (большой мощности с
граничной частотой от 3 до 30 МГц);
Х - порядковый номер разработки (39; 47; 86);
Х - классификационная группа по параметрам (А; Б);
1 - конструктивное исполнение (тип корпуса КТ-43В-2).

Условия эксплуатации

Условия эксплуатации транзистора КТ839А в соответствии с требованиями аАО.339.485 ТУ-95, транзистора КТ847А - аАО.336.576 ТУ-95, транзистора КТ886Б1 - АДБК.432.140.067 ТУ-93. Температура окружающей среды от минус 60 до 100°С. Температура корпуса транзистора от минус 45 (КТ839А и КТ847А) и минус 40°С (КТ886Б1) до 100°С. аАО.339.485 ТУ-95;аАО.336.576 ТУ-95;АДБК.432.140.067 ТУ-93

Технические характеристики

Предельно допустимые значения параметров транзисторов приведены в табл. 1, статические и динамические характеристики - в табл. 2.

Таблица 1

Наименование параметра Буквенное обозначение Значение параметра для транзисторов типов Режим измерения*
КТ839А КТ847А КТ886Б1

Граничное напряжение, В

 UКЭО гр 700 360 500

IK=0,1A
LK=40 мГн

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, В

 UКЭR mах – 650 1000

IКЭR:
2 мА – КТ847А;
0,5 мА – КТ886Б1
RБЭ=10 Ом

Максимально допустимое напряжение коллектор-база, В

 UКБО mах 1500 – –

IКБО=1 мА
IЭ=0

Максимально допустимое напряжение эмиттер-база, В

 UЭБО mах 5 8 7

IЭБО:
10 мА – КТ839А и КТ886Б1;
100 мА – КТ847А
IК=0

Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А

 IК mах 10 15 10 –

Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А

 IК, ИМП mах 10 25 15

Максимально допустимый постоянный ток базы, А

 IБ mах 4 5

Максимально допустимый импульсный ток базы, А

 IБ, ИМП mах – 5

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт

 РК mах 50 125 75

ТП:
125 ° С – КТ839А;
200 ° С – КТ847А;
150 ° С – КТ886Б1

Максимально допустимая температура перехода, ° С

 ТП mах 125 200 150 –

* Температура корпуса 25 ° С

Таблица 2

Наименование параметра Буквенное обозначение Значение параметра для транзисторов типов Режим измерения*
КТ839А КТ847А КТ886Б1

Обратный ток коллектор-база, мА:
типовой
максимальный

 IКБО
0,1
1
–
–
0,1
0,5

UКБО:
1500 В – КТ839А;
1000 В – КТ886Б1
IЭ=0

Обратный ток эмиттер-база, мА:
типовой

 IЭБО
0,1
–
–

UЭБО:
5 В – КТ839А;
8 В – КТ847А;
7 В – КТ886Б1
IК=0

максимальный

 10 100  

Обратный ток коллектор-эмиттер, мА:
типовой
максимальный

 IКЭR
–
–
0,2
2
0,1
0,5

UКЭR:
650 В – КТ847А;
1000 В – КТ886Б1
RБЭ=10 Ом

Статический коэффициент передачи тока:
минимальный
типовой
максимальный

 h21Э
5
–
12
8
15
–
8
10
–

IK:
4 А – КТ839А
и КТ886Б1;
15 А – КТ847А
UКЭ:
10 В – КТ839А;
3 В – КТ847А;
5 В – КТ886Б1

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В:
типовое

 UКЭ нас

1

–

1

IK:
4 А – КТ839А и КТ886Б1;
15 А – КТ847А
IБ:
2 А – КТ839А;
5 А – КТ847А;
1 А – КТ886Б1

максимальное

 1,5

Напряжение насыщения база-эмиттер, В:
типовое

UБЭ нас
1,1
–
1,2

максимальное

 1,6

Время спада коллекторного тока, мкс:
типовое
максимальное

 tСП
0,5
1,2
0,2
0,5
0,25
0,3

IK:
4 А – КТ839А и КТ886Б1;
10 А – КТ847А
IБ:
±1,8 А – КТ839А;
±1 А – КТ847А;
±5 А – КТ886Б1
UКК:
500 В – КТ839А и КТ886Б1;
100 В – КТ847А

Тепловое сопротивление переход-корпус, ° С/Вт:
типовое
максимальное

 RТ П-К
1,25
2
1
1,4
1,25
1,67

UKЭ=20 B
IK:
2,5 А – КТ839А;
6,25 А – КТ847А;
3,75 А – КТ886Б1

* Температура корпуса 25 ° С.

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзисторов КТ839А и КТ847А в корпусе КТ-9 (ТО-3) представлены на рис. 1, транзистора КТ886Б1 в корпусе КТ-43В-2 (ТО-3Р) - на рис. 2, электрическая схема - на рис. 3.

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзисторов КТ839А и КТ847А в корпусе КТ-9: 1 - база;
2 - коллектор;
3 - эмиттер

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ886Б1 в корпусе КТ-43В-2: 1-3 - по рис. 1

Электрическая схема транзисторов КТ839А, КТ847А и КТ886Б1: VT1 - транзистор;
1-3 - по рис. 1 Масса транзисторов КТ839А и КТ847А не более 20 г, транзистора КТ886Б1 - не более 5 г. Показатели надежности: минимальное время наработки 15 000 ч;
интенсивность отказов в течение времени наработки не более 10-6 1/ч;
минимальный 99,5% срок сохраняемости транзисторов - 10 лет.

В комплект поставки входят: транзисторы, этикетка (паспорт) с краткими техническими данными транзисторов, потребительская тара. Типовое количество транзисторов в единице тары - 100 шт.

Характеристики Электротехнического оборудования

Характеристики станков

Характеристики КПО

Характеристики импортного оборудования

Характеристики насосного оборудования

Марки стали и сплавов

Прочее оборудование
© Машинформ | Справочник содержания драгоценных металлов | mashinform@bk.ru