Мощные -p- биполярные транзисторы КТ827А, КТ945А и КТ8111А
Общие сведения
Транзисторы биполярные КТ827А (составной), КТ945А и КТ8111А (составной) предназначены для использования в выходных каскадах усилителей мощности, стабилизаторах тока и напряжения, в ШИМ-преобразователях и схемах управления электроприводом.
Структура условного обозначения
КТХХА:
КТ - транзистор кремниевый биполярный;
Х - обозначение назначения транзистора
(8 - большой мощности с граничной частотой от 3 до 30 МГц;
9 - большой мощности с граничной частотой от 30 до 300 МГц);
Х - порядковый номер разработки (27; 45; 111);
А - классификационная группа по параметрам.
Условия эксплуатации
Условия эксплуатации транзистора КТ827А в соответствии с требованиями аАО.336.356 ТУ-95, транзистора КТ945А - аАО.336.256ТУ-95, транзистора КТ8111А - АДБК.432.150.201 ТУ-95. Температура окружающей среды от минус 60 до 100°С. Температура корпуса транзистора от минус 45 до 100°С. аАО.336.356 ТУ-95;аАО.336.256 ТУ-95;АДБК.432.150.201 ТУ-95
Технические характеристики
Предельно допустимые значения параметров транзисторов приведены в табл. 1, статические и динамические характеристики - в табл. 2.
Таблица 1
Наименование параметра | Буквенное обозначение | Значение параметра для транзисторов типов | Режим измерения* | ||
КТ827А | КТ945А | КТ8111А | |||
Граничное напряжение, В | UКЭО гр | 100 | 200 | 100 | IK=0,1A |
Максимально допустимое напряжение коллектор-база, В | UКБО mах | 100 | 225 | 100 | IКБО: |
Максимально допустимое напряжение эмиттер-база, В | UЭБО mах | 5 | IЭБО: | ||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А | IK mах | 20 | 15 | 20 | – |
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А | IK, ИМП mах | 40 | 25 | 40 | |
Максимально допустимый постоянный ток базы, А | IБ mах | 0,8 | 7 | 0,8 | |
Максимально допустимый импульсный ток базы, А | IБ, ИМП mах | – | 12 | – | |
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт | pK mах | 125 | 50 | 90 | ТП=ТП mах |
Максимально допустимая температура перехода, ° С | ТП mах | 200 | 175 | 150 | – |
* Температура корпуса 25 ° С |
Таблица 2
Наименование параметра | Буквенное обозначение | Значение параметра для транзисторов типов | Режим измерения* | ||
КТ827А | КТ945А | КТ8111А | |||
Обратный ток коллектор-база, мА: | IКБО | 0,1 0,5 | 0,2 2 | 0,1 0,5 | UКБО: |
Обратный ток эмиттер-база, мА: | IЭБО | 2 5 | 0,1 10 | 2 5 | UЭБО=5 В |
Статический коэффициент передачи тока: | h21Э | 750 5000 18000 | 10 40 60 | 750 5000 18000 | IK: |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: | UКЭ нас | 1,5 | IK: | ||
максимальное | 2 | 2,5 | 2 | ||
Напряжение насыщения база-эмиттер, В: | UБЭ нас | 3 4 | 2 3 | 3 4 | IK: |
Время выключения, мкс: | tВЫКЛ | 4 6 | – – | 4 6 | IK=10 A |
Время спада коллекторного тока, мкс: | tСП | – – | 0,15 0,3 | – – | IK=10 A |
Тепловое сопротивление переход-корпус, ° С/Вт: | tВЫКЛ | – 1,4 | 1,4 2,5 | – 1,4 | UK=20 B |
* Температура корпуса 25 ° С. |
Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзисторов КТ827А и КТ945А в корпусе КТ-9: 1 - база;
2 - коллектор;
3 - эмиттер
Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ8111А в корпусе КТ-43: 1-3 - по рис. 1
Электрическая схема транзисторов: а - КТ827А и КТ8111А: VT1, VT2 - транзисторы;
VD1 - демпферный диод;
R1 - согласующий резистор 10 кОм;
R2 - согласующий резистор 100 Ом;
1-3 - по рис. 1;
б - КТ945А: VT1 - транзистор;
1-3 - по рис. 1 Масса транзисторов КТ827А и КТ945А не более 20 г, транзистора КТ8111А - не более 5 г. Показатели надежности: минимальное время наработки 15 000 ч;
интенсивность отказов в течение времени наработки не более 10-6 1/ч;
минимальный 99,5% срок сохраняемости транзисторов 10 лет.
В комплект поставки входят: транзисторы, этикетка (паспорт) с краткими техническими данными транзисторов, потребительская тара. Типовое количество транзисторов в единице тары 100 шт.
Характеристики Электротехнического оборудования
Характеристики станков
Характеристики КПО
Характеристики импортного оборудования
Характеристики насосного оборудования
Марки стали и сплавов
Прочее оборудование