Кремниевые высокочастотные мощные -канальные МДП-транзисторы А808 А, Б, В (Д)
Общие сведения
Транзисторы А808 А, Б, В (Д) предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре, в генераторах и усилителях радиопередающих устройств с низковольтным питанием, работающих в диапазоне частот до 500 МГц. Опытные образцы А808 А, Б, В (Д) - конструктивные и технологические аналоги 2П941 А, Б, В, Г, Д. А808Х:
А808 - внутренний номер предприятия;
Х - литера (А, Б, В, Д). e Условия и режимы эксплуатации транзисторов в соответствии с требованиями АЕЯР.432150. 092 ТУ.
Технические характеристики
Типономиналы и основные параметры транзисторов приведены в таблице, габаритный чертеж корпусов транзисторов - на рис. 1 и 2.
Таблица
Наименование параметра, режим измерения | Буквенное обозначение | Значение параметра для транзисторов типономиналов | ||
А808А | А808Б | А808В(Д) | ||
Максимально допустимое постоянное напряжение | UСИ mах | 36 | ||
Максимально допустимое постоянное напряжение | UЗИ mах | 20 | ||
Максимально допустимое постоянное напряжение | UЗС mах | 41 | ||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность, Вт | Рmах | 3...30 | ||
Максимально допустимый статический потенциал, В | – | 100 | ||
Выходная мощность, Вт, при UСИ=12 В; f =400 МГц | Рвых | 3 | 15 | 30 |
Коэффициент усиления, дБ, при UСИ=12 В; f =400 МГц | КуР | 8,7 | 6,4 | 5 |
Крутизна характеристики, А/В, при UСИ=10 В; Iс=2 А | S | 0,2 | 0,6 | 1,2(0,6) |
КПД, %, при UСИ=12 В; | h | 50 | ||
Максимально допустимая температура p–n перехода | Tn mах | 150 | ||
Тип корпуса | – | КТ-25 | КТ-55 |
Габаритный чертеж корпуса транзистора А808А
Габаритный чертеж корпуса транзисторов А808Б и А808В(Д): 1 - сток;
2 - исток;
3 - затвор
В комплект поставки входят: транзисторы и этикетка, содержащая основные параметры транзисторов и снабженная печатью ОТК.
Характеристики Электротехнического оборудования
Характеристики станков
Характеристики КПО
Характеристики импортного оборудования
Характеристики насосного оборудования
Марки стали и сплавов
Прочее оборудование