Каталог электротехнического оборудования > Светотехнические изделия > Источники света. лампы накаливания электрические > Лампы накаливания осветительные общего назначения > Тиристоры быстродействующие таблеточного исполнения типов ТБ753-1000, ТБ753Т-1600, ТБ753Т-2000, ТБ753Т-2500

Тиристоры быстродействующие таблеточного исполнения типов ТБ753-1000, ТБ753Т-1600, ТБ753Т-2000, ТБ753Т-2500

Общие сведения

Тиристоры быстродействующие на токи от 1000 до 2500 А предназначены для применения в цепях постоянного и переменного тока сварочных агрегатов, ультразвуковых генераторов, тиристорных преобразователей частоты и других преобразователей электрической энергии. Изготовляются для внутригосударственных поставок и на экспорт.

Структура условного обозначения

ТБ753Т-Х-Х-ХХХХХ:
ТБ - тиристор быстродействующий;
7 - порядковый номер модификации конструкции;
5 - обозначение диаметра корпуса по ГОСТ 20859.1-89;
3 - обозначение конструктивного исполнения корпуса по ГОСТ
20859.1-89;
Т - высокотемпературный (указывается только для
высокотемпературных);
Х - максимально допустимый средний ток в открытом состоянии, А;
Х - класс;
Х - группа по критической скорости нарастания напряжения в
закрытом состоянии;
Х - группа по времени выключения;
Х - группа по времени включения;
ХХ - климатическое исполнение и категория размещения УХЛ2 по
ГОСТ 15150-69 и ГОСТ 15543.1-89.

Условия эксплуатации

Атмосферное давление 86-106 кПа (650-800 мм рт. ст.). Температура окружающей среды от минус 60 до 50°С. Относительная влажность 100% при температуре 25°С. Выпадение инея с последующим его оттаиванием. Окружающая среда взрывобезопасная и химически неактивная, исключающая воздействие различных излучений (нейтронного, электронного, g-излучения и т. д.). Группа механического исполнения М27 по ГОСТ 17516.1-90. Одиночные удары длительностью 50 мс с ускорением 4g. Рекомендуемый охладитель О153 (ТУ 16-729.377-83). Для улучшения контактного соединения тиристоров с охладителями рекомендуется смазка типа КПТ-8 по ГОСТ 19783-74. Тиристоры соответствуют требованиям ТУ 3417-016-00216415-98. ТУ 16-729.377-83;ТУ 3417-016-00216415-98

Технические характеристики

Предельно допустимые значения параметров тиристоров приведены в табл. 1, 3, характеристики - в табл. 2, 4.

Таблица 1

Наименование параметра	Буквенное обозначение	Значение параметра для тиристоров типов		Условия установления норм на параметры
Наименование параметра	Буквенное обозначение	ТБ753-1000	ТБ753Т-1600	Условия установления норм на параметры
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и повторяющееся импульсное обратное напряжение, В, для классов: 6 7 8 9 10 11 12	U_DRM U_RRМ	600 700 800 900 1000 1100 1200		T_jmin ? T_j ? T_jm Импульсы напряжения синусоидальные однополупериодные, t_p = 10 мс, f = 50 Гц Цепь управления разомкнута
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и неповторяющееся импульсное обратное напряжение, В, для классов: 6 7 8 9 10 11 12	U_DSM U_RSМ	660 770 880 990 1100 1210 1320		T_jmin ? T_j ? T_jm Импульс напряжения синусоидальный однополупериодный, одиночный, t_p = 10 мс Цепь управления разомкнута
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии и рабочее импульсное обратное напряжение, В	U_DWM U_RWМ	0,7U_DRM 0,7U_RRМ		T_jmin ? T_j ? T_jm Импульсы напряжения синусоидальные однополупериодные, t_p = 10 мс, f = 50 Гц Цепь управления разомкнута
Постоянное напряжение в закрытом состоянии и постоянное обратное напряжение, В	U_D U_R	0,5U_DRM 0,5U_RRМ		Т_jmin ? Т_j ? Т_с
Средний ток в открытом состоянии, А, при температуре корпуса, ° С	I_TAV Т_с	1000 85	1600 70	Импульсы тока синусоидальные однополупериодные Угол проводимости 180 ° эл, f = 50 Гц
Действующий ток в открытом состоянии, А	I_ТRМS	1600	2500	Т_j = Т_jm
Ударный ток в открытом состоянии, кА	I_ТSМ	20,0	17,0	T_j = T_jm Импульс тока синусоидальный однополупериодный, одиночный, t_p = 10 мс U_R = 0 Импульсы напряжения источника управления: форма – трапецеидальная, U_xx = 10...20 В, длительность фронта импульса 2 мкс, длительность импульсов 50 мкс. Сопротивление источника управления 5–10 Ом
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии, А/мкс	(di_Т/dt)_сrit	1000		T_j = T_jm U_D = 0,67U_DRM I_T = 2I_TAV f = 1...5 Гц Импульсы напряжения источника управления: форма – трапецеидальная, U_xx = 20 В, длительность фронта импульса 1 мкс, длительность импульсов 10 мкс. Сопротивление источника управления 5 Ом. Время испытаний 10 с
Температура хранения, ° С: максимально допустимая минимально допустимая	T_stgm Т_stgmin	50 –60		–
Температура перехода, ° С: максимально допустимая минимально допустимая	T_jm Т_jmin	125 –60	140 –60	–

Таблица 2

Наименование параметра (характеристики)	Буквенное обозначение	Значение параметра для тиристоров типов		Условия установления норм на параметры
		ТБ753-1000	ТБ753Т-1600
Импульсное напряжение в открытом состоянии, В, не более	U_ТМ	2,45	2,4	T_j = 25 ° C I_T = 3,14I_TAV Расположение контрольных точек измерения – на катодном и анодном основаниях корпуса
Пороговое напряжение, В, не более	U_Т(ТО)	1,3	1,25	Т_j = Т_jm
Динамическое сопротивление в открытом состоянии, мОм, не более	r_Т	0,25	0,22	Т_j = Т_jm
Повторяющийся импульсный обратный ток и повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии, мА, не более	I_RRM I_DRМ	100	150	T_j = T_jm U_R = U_RRM U_D = U_DRМ
Отпирающий постоянный ток управления, А, не более	I_GТ	0,4 0,75		T_j = 25 ° C Т_j = -60 ° С	U_D = 12 В Сопротивление цепи тока в открытом состоянии 3 Ом
Отпирающее постоянное напряжение управления, В, не более	U_GТ	2,5 4,5		T_j = 25 ° C Т_j = -60 ° С
Ток удержания, А, не более	I_Н	0,35	0,3	T_j = 25 ° C U_D = 12 В Цепь управления разомкнута
Неотпирающее постоянное напряжение управления, В, не менее	U_GD	0,5	0,3	T_j = T_jm U_D = 0,67U_DRM Сопротивление в цепи анодного тока 10 кОм
Неотпирающий постоянный ток управления, мА, не менее	I_GD	30	20
Время включения, мкс, не более, для группы Р4	t_gt	2,0		T_j = 25 ° C U_D = 0,5U_DRM I_T = I_TAV di_T/dt = 100 А/мкс f ? 5 Гц Импульсы напряжения источника управления: форма – трапецеидальная, U_xx = 20 В, длительность фронта импульса 1 мкс, длительность импульсов 20 мкс. Сопротивление источника управления 5 Ом
Время выключения, мкс, не более, для групп: Х3 Т3 Р3 М3	t_q	12,5 16 – –	– 16 20 25	T_j = T_jm I_T = T_TAV, длительность тока не менее 500 мкс (di_T/dt)_f = (10±1) А/мкс U_R = 100В, U_D = 0,67U_DRM dU_D/dt = 50 В/мкс Внутреннее сопротивление должно обеспечить ток в открытом состоянии 10–20 А. Напряжение источника управления в процессе выключения ? 0,1 В, его сопротивление ? 1 кОм
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии, В/мкс, не менее, для группы А2	(du_D/dt)_сrit	1000		T_j = T_jm U_D = 0,67U_DRM t_p = 200 мкс Цепь управления разомкнута. Начальное напряжение равно 0
Тепловое сопротивление переход–корпус, ° С/Вт, не более	R_thjс	0,02		Постоянный ток
Растягивающее усилие для управляющего вывода, Н	–	20		–
Прижимное усилие, Н	F	25 000±1000		–
Масса, кг, не более	–	0,33		–

Таблица 3

Наименование параметра	Буквенное обозначение	Значение параметра для тиристоров типов			Условия установления норм на параметры
		ТБ753Т-2000		ТБ753Т-2500
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и повторяющееся импульсное обратное напряжение, В, для классов: 6 7 8 9 10 11 12	U_DRM U_RRМ	600 700 800 900 1000 1100 1200			T_jmin ? T_j ? T_jm Импульсы напряжения синусоидальные однополупериодные, t_p = 10 мс, f = 50 Гц Цепь управления разомкнута
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и неповторяющееся импульсное обратное напряжение, В, для классов: 6 7 8 9 10 11 12	U_DSM U_RSМ	660 770 880 990 1100 1210 1320			T_jmin ? T_j ? T_jm Импульс напряжения синусоидальный однополупериодный, одиночный, t_p = 10 мс Цепь управления разомкнута
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии и рабочее импульсное обратное напряжение, В	U_DWM U_RWМ	0,7U_DRM 0,7U_RRМ			T_jmin ? T_j ? T_jm Импульсы напряжения синусоидальные однополупериодные, t_p = 10 мс, f = 50 Гц Цепь управления разомкнута
Постоянное напряжение в закрытом состоянии и постоянное обратное напряжение, В	U_D U_R	0,5U_DRM 0,5U_RRМ			Т_jmin ? Т_j ? Т_с
Средний ток в открытом состоянии, А	I_ТАV	2000	2500		T_c = 70 ° C Импульсы тока синусоидальные однополупериодные. Угол проводимости 180 ° эл, f = 50 Гц
Действующий ток в открытом состоянии, А	I_ТRМS	3200	3800		Т_j = Т_jm
Ударный ток в открытом состоянии, кА	I_ТSМ	22	22		T_j = T_jm Импульс тока синусоидальный однополупериодный, одиночный, t_p = 10 мс U_R = 0 Импульсы напряжения источника управления: форма – трапецеидальная, U_xx = 10...20 В, длительность фронта импульса 2 мкс, длительность импульсов 50 мкс. Сопротивление источника управления 5–10 Ом
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии, А/мкс	(di_Т/dt)_сrit	1000			T_j = T_jm U_D = 0,67U_DRM I_T = 2I_TAV f = 1–5 Гц Импульсы напряжения источника управления: форма – трапецеидальная, U_xx = 20 В, длительность фронта импульса 1 мкс, длительность импульсов 10 мкс. Сопротивление источника управления 5 Ом. Время испытаний 10 с
Температура хранения, ° С: максимально допустимая минимально допустимая	T_stgm Т_stgmin	50 –60			–
Температура перехода, ° С: максимально допустимая минимально допустимая	T_jm Т_jmin	140 –60	150 –60		–

Таблица 4

Наименование параметра (характеристики)	Буквенное обозначение	Значение параметра для тиристоров типов		Условия установления норм на параметры
		ТБ753Т-2000	ТБ753Т-2500
Импульсное напряжение в открытом состоянии, В, не более	U_ТМ	1,9	2,25	T_j = 25 ° C I_T = 3,14I_TAV Расположение контрольных точек измерения – на катодном и анодном основаниях корпуса
Пороговое напряжение, В, не более	U_Т(ТО)	1,05	1,1	Т_j = Т_jm
Динамическое сопротивление в открытом состоянии, мОм, не более	r_Т	0,125	0,14	Т_j = Т_jm
Повторяющийся импульсный обратный ток и повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии, мА, не более	I_RRM I_DRМ	150	200	Т_j = Т_jm
Отпирающий постоянный ток управления, А, не более	I_GТ	0,4 0,75		T_j = 25 ° C Т_j = –60 ° С	U_D = 12 В Сопротивление цепи тока в открытом состоянии 3 Ом
Отпирающее постоянное напряжение управления, В, не более	U_GТ	2,5 4,5		T_j = 25 ° C Т_j = –60 ° С
Ток удержания, А, не более	I_Н	0,35	0,3	T_j = 25 ° C U_D = 12 В Цепь управления разомкнута
Неотпирающее постоянное напряжение управления, В, не менее	U_GD	0,3		T_j = T_jm U_D = 0,67U_DRM Сопротивление в цепи анодного тока 10 кОм
Неотпирающий постоянный ток управления, мА, не менее	I_GD	20
Время включения, мкс, не более, для группы Р4	t_gt	2,0		T_j = 25 ° C U_D = 0,5U_DRM I_T = I_TAV di_T/dt = 100 А/мкс f ? 5 Гц Импульсы напряжения источника управления: форма – трапецеидальная, U_xx = 20 В, длительность фронта импульса 1 мкс, длительность импульсов 20 мкс. Сопротивление источника управления 5 Ом
Время выключения, мкс, не более, для групп: p3 K3 H3 С3	t_q	20 32 40 –	– 32 40 63	T_j = T_jm I_T = T_TAV, длительность тока не менее 500 мкс (di_T/dt)_f = (10±1) А/мкс U_R = 100 ВU_D = 0,67U_DRM dU_D/dt = 50 В/мкс Внутреннее сопротивление должно обеспечить ток в открытом состоянии 10–20 А. Напряжение источника управления в процессе выключения ? 0,1 В, его сопротивление ? 1 кОм
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии, В/мкс, не менее, для группы А2	(du_D/dt)_сrit	1000		T_j = T_jm U_D = 0,67U_DRM t_p = 200 мкс Цепь управления разомкнута. Начальное напряжение равно 0
Тепловое сопротивление переход–корпус, ° С/Вт, не более	R_thjс	0,02	0,016	Постоянный ток
Растягивающее усилие для управляющего вывода, Н	–	20		–
Прижимное усилие, Н	F	25 000±1000		–
Масса, кг, не более	–	0,33		–

Габаритные размеры тиристоров представлены на рисунке.

Габаритные и присоединительные размеры тиристоров серии ТБ753: А - вывод анода;
К - вывод катода;
К1 - дополнительный основной вывод;
G - вывод управляющего электрода;
m - контрольные точки измерения температуры корпуса (в круге радиусом 15 мм)

В комплект поставки входят: тиристор и паспорт. Тиристоры поставляются без охладителей. К каждой партии тиристоров, транспортируемых в один адрес, прикладывается паспорт.

Тиристоры быстродействующие таблеточного исполнения типов ТБ753-1000, ТБ753Т-1600, ТБ753Т-2000, ТБ753Т-2500

Общие сведения

Структура условного обозначения

Условия эксплуатации

Технические характеристики

Характеристики Электротехнического оборудования

Характеристики станков

Характеристики КПО

Характеристики импортного оборудования

Характеристики насосного оборудования

Марки стали и сплавов

Прочее оборудование

Новости

Делитесь информацией

Наша кнопка