Тиристор оптронный потенциальный типа ТО325-12,5

Общие сведения

Тиристор типа ТО325-12,5 предназначен для применения в цепях постоянного и переменного тока частотой до 500 Гц различных электротехнических установок. Отличительной особенностью оптотиристора является отсутствие гальванической связи между выводами управления и силовыми выводами.

Структура условного обозначения

ТО325-Х-Х-ХХ Х:
ТО - тиристор оптронный;
325 - обозначение модификации;
Х - максимально допустимый средний ток в открытом состоянии, А;
Х - класс;
Х - группа по критической скорости нарастания напряжения в
закрытом состоянии;
Х - буква И (для оптотиристоров с импульсным током
управления);
Х - климатическое исполнение и категория размещения по ГОСТ
15150-69 и ГОСТ 15543.1-89 (У2; УХЛ2; УХЛ4; Т3).

Условия эксплуатации

Атмосферное давление от 86,6 до 106,7 кПа. Температура окружающей среды от минус 60 до 45°С: для исполнения УХЛ2, от минус 50 до 45°С: для У2, от минус 10 до 45°С: для Т3 и от 1 до 45°С: для УХЛ4. Относительная влажность воздуха 100% при температуре 25°С: для исполнений У2, УХЛ2; 80% при температуре 25°С: для УХЛ4; 98% при температуре 35°С: для Т3. Группа механического исполнения М27 по ГОСТ 17516.1-90. Допускаются одиночные удары длительностью импульса 50 мс и ускорением 4g, во взрывобезопасных и химически неактивных средах, в условиях, исключающих воздействие различных излучений (нейтронного, электронного, g-излучения и т. п.). Рекомендуемый охладитель типа О325 (ТУ 16-729.377-83). Оптотиристор соответствует требованиям ТУ 16-91 ИДЖК.432365.002 ТУ. ТУ 16-91 ИДЖК.432365.002 ТУ

Технические характеристики

Предельно допустимые значения параметров оптотиристора представлены в табл. 1, характеристики - в табл. 2.

Таблица 1

Наименование параметра Буквенное обозначение Значение параметра Условия установления норм на параметры

Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и повторяющееся импульсное обратное напряжение В, для классов:
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
18
20

UDRM
URRМ




400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1800
2000

Tjmin ? Tj ? Tjm
Импульс напряжения –
однополупериодный
синусоидальный,
ti=10 мс, f=50 Гц

Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии неповторяющееся импульсное обратное напряжение, В

UDSM
URSM
1,11UDRM
1,11URRM

Tjmin ? Tj ? Tjm
Импульс напряжения - однополупериодный синусоидальный, ti = 10 мс, одиночные импульсы

Рабочие импульсное напряжение в закрытом состоянии и рабочее импульсное обратное напряжение, В

UDWM
URWM
0,8UDRM
0,8URRM

Tjmin ? T ? Tjm
Импульс напряжения - однополупериодный синусоидальный,
ti = 10 мс, f=50Гц

Постоянное напряжение в закрытом состоянии, постоянное обратное напряжение, В

UD
UR
0,5UDRM
0,5URMM

Тс ? 85 ° С

Электрическая прочность изоляции между основными выводами и выводами управляющего электрода, В
(в зависимости от класса)

UMG 3500-4600

Тj=25 ° С
Напряжение - постоянное или синусоидальное частотой 50 Гц. Время приложения напряжения 60 с

Средний ток в открытом состоянии, А

IT(AV) 12,5

Ток - однополупериодный синусоидальный, угол проводимости q =180 ° эл., f=50Гц, Тс =85 ° С

Действующий ток в открытом состоянии, А

ItrMS 19,6

Ток - однополупериодный синусоидальный, угол проводимости q =180 ° эл., f=50Гц, Тс =85 ° С

Ударный ток в открытом состоянии, А

ITSM 350

Tjm=110 ° C

450

Tj=25 ° C
Ток однополупериодный синусоидальный, ti =10 мс

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии, А/мкс

(diT/dt)crit 100

Tjm=110 ° C, UD=0,67 UDRM, IT=(2-5)IT(AV), f=(1-5) Гц, IGTM=600 мА, tGTM=(50 ± 5) мкс. Длительность фронта импульса тока управления не более 1 мкс

Температура перехода, ° С:

максимально допустимая
минимально допустимая

Tj m
Tj min


110
–60 (УХЛ2)
–50(У2)
–10 (Т3)
1 (УХЛ4)
-

Температура хранения, ° С:

максимально допустимая
минимально допустимая


Tstg m
Tstg min

55
–60 (УХЛ2)
–50
(У2; УХЛ4; Т3)
-

Растягивающее усилие выводов, Н

- 20 -

Таблица 2

Параметр Буквенное обозначение Значение параметра Условия установления норм на параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии, В, не более

UТМ 2

Tj = 25 ° C
IТ = 3,14IТ(АV)

Пороговое напряжение, В, не более

UТ(ТО) 1,05
0,92

Tj = 25 ° C
Тjm = 110 ° С

Динамическое сопротивление в открытом состоянии, Ом, не более

rТ 9·10-3
11·10–3

Tj = 25 ° C
Тjm = 110 ° С

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии и повторяющийся импульсный обратный ток, мА, не более

IDRM
IRRМ
–

Tjmin ? Tj ? Tjm
UD = UDRM
UR = URRМ

Отпирающий постоянный ток управления, мА, не более

IGТ 80
200

Tj = 25 ° C
Tjmin = –60 ° C
UD = 12 В

Отпирающее постоянное напряжение управления, В, не более

UGТ 2,5
3

Tj = 25 ° C
Tjmin = –60 ° C,
UD = 12 В

Отпирающий импульсный ток управления, мА, не более

IGТМ 200
600

Tj = 25 ° C
tGTM = 0,8 мс
Ijmin = –60 ° C,
tGTM = 50 мкс

Отпирающее импульсное напряжение управления, В, не более

UGТМ 3
4

Tj = 25 ° C
tGTM = 0,8 мс
Tjmin = –60 ° C,
tGTM = 50 мкс

Неотпирающее постоянное напряжение управления, В, не менее

UGD 0,9

Tjm = 110 ° C
UD = 0,67UDRM
RG = 1000 Ом

Неотпирающий постоянный ток управления, мА, не менее

IGD 5

Tjm = 110 ° C
UD = 0,67UDRM
RG = 1000 Ом

Ток удержания, мА, не более

IН 10
20
30

Tjm = 110 ° C
Tj = 25 ° C
Tjmin = –60 ° C
UD = 12 В

Время включения, мкс, не более

tgt 10

Tj = 25 ° C
UD = 100 B
IT = IT(AV), IGTM = 600 мА
diT/dt = 2 А/мкс, tGTM = 50 мкс

Время задержки, мкс, не более

tgd 5

Tj = 25 ° C UD = 100 B
IT = IT(AV), diT/dt = 2 А/мкс
tGTM = 50 мкс

Время выключения, мкс, не более

tq 100

Tjm = 110 ° C
IT = IT(AV)
UR = 100 B, UD = 0,67UDRM
diT/dt = 5 А/мкс

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии, В/мкс, не менее, для групп:

0
1
2
3
4
5
6
7

(duD/dt )сrit


Не нормируется
20
50
100
200
320
500
1000

Tjm = 110 ° C
UD = 0,67UDRМ

Тепловое сопротивление переход–корпус, ° С/Вт, не более

Rthjс 1,5

Постоянный ток
Охлаждение естественное воздушное

Сопротивление изоляции между силовыми выводами и выводами управляющих электродов, МОм

RМG 1000

U=1000 В

Проходная емкость, пФ, не более

С0 30

–

Масса без охладителя, кг, не более

– 0,02

–

Вероятность безотказной работы за время 1000 ч, не менее

– 0,998

Режимы и условия оговорены в ТУ

Гамма-процентный ресурс при g =90%, ч, не менее

– 50 000

Режимы и условия оговорены в ТУ

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры оптотиристора приведены на рис. 1, оптотиристора с охладителем - на рис. 2.

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры оптотиристора: 1 - место маркировки;
2 - точка измерения температуры корпуса оптотиристора;
3 - вывод анода;
4 - управляющий вывод (минус);
5 - вывод катода;
6 - управляющий вывод (плюс)

Общий вид, габаритные и установочные размеры оптотиристора с рекомендуемым охладителем типа О325

Оптотиристор представляет собой гибридный полупроводниковый прибор, состоящий из кремниевого фототиристора к арсенид - галлиевого излучающего диода инфракрасного диапазона, объединенных в единую конструкцию. Медное основание, к которому через молибденовый термокомпенсатор припаяна фотоструктура, служит анодным выводом прибора. Катодный вывод припаивается к верхнему кольцевому термокомпенсатору, в котором с помощью изоляционной втулки жестко закрепляется излучающий диод. Вся конструкция заливается кремнийорганическим компаундом и герметизируется пластмассой. УКАЗАНИЯ ПО МОНТАЖУ И ЭКСПЛУАТАЦИИ Для работы оптотиристоры должны устанавливаться на охладители, обеспечивающие оптимальный тепловой режим. Оптотиристор крепится к охладителю двумя винтами М3. Крутящий момент при завинчивании винтов должен быть от 0,45 до 0,49 Н·м, что обеспечивает плотный и надежный тепловой контакт между контактными поверхностями охладителя и основанием оптотиристора. Для улучшения теплового контакта между оптотиристором и охладителем рекомендуется при монтаже смазывать контактные поверхности тонким слоем теплопроводной пасты КПТ-80 (ГОСТ 19783-74). Эффективность охладителей может быть значительно повышена использованием принудительного воздушного охлаждения со скоростью потока 3-6 м/с. Без охладителя оптотиристор может эксплуатироваться при токе не более 1,5 А. Во всех случаях критерием правильности выбора условий охлаждения служит температура корпуса оптотиристора, которая при максимально допустимом среднем токе в открытом состоянии не должна превышать 85°С. Оптотиристоры следует устанавливать таким образом, чтобы исключить дополнительный нагрев со стороны соседних элементов. Плоскости ребер или пластин охладителей должны быть направлены вертикально при естественном охлаждении и вдоль потока воздуха при принудительном охлаждении. Пайка проводов к выводам оптотиристоров должна проводиться при температуре не более (220+10)°С. Рекомендуется использовать оловянно-свинцовый припой с температурой плавления не более 185°С и канифольный флюс. Пайку желательно производить с применением теплоотвода, например с помощью металлического пинцета. При монтаже не следует изгибать выводы оптотиристора на расстоянии ближе 1,5 мм от корпуса. Для работы в цепях переменного тока напряжением 220 В рекомендуется использовать оптотиристоры не ниже 7-го класса, при напряжении 380 В - оптотиристоры не ниже 10-14-го классов. Такой выбор послужит гарантией надежности работы оптотиристоров в любых схемах. При эксплуатации оптотиристоры следует периодически очищать от пыли и других загрязнений. При выходе из строя оптотиристоры должны быть заменены оптотиристорами того же типа, класса и группы по критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии. Оптотиристоры поставляются без охладителей и крепежных деталей. каждой партии оптотиристоров одного типа, поставляемой в один адрес, прикладывается паспорт.

Характеристики Электротехнического оборудования

Характеристики станков

Характеристики КПО

Характеристики импортного оборудования

Характеристики насосного оборудования

Марки стали и сплавов

Прочее оборудование

© Машинформ | Справочник содержания драгоценных металлов | mashinform@bk.ru