Оптотиристоры типов ТО115-5 и ТО115-10

Общие сведения

Оптотиристоры предназначены для применения в цепях постоянного и переменного тока различных силовых установок частотой до 500 Гц. Обеспечивают гальваническую развязку между силовой и управляющими цепями. Оптотиристоры выполнены в пластмассовом корпусе с беспотенциальным основанием.

Структура условного обозначения

ТО115-Х-Х-Х Х:
ТО - оптотиристор;
1 - порядковый номер модификации конструкции;
1 - обозначение межцентрового расстояния отверстий для монтажа
(23 мм);
5 - обозначение конструктивного исполнения корпуса
(фланцевое);
Х - максимально допустимый средний ток в открытом состоянии, А;
Х - класс;
Х - группа по критической скорости нарастания напряжения в
закрытом состоянии;
Х - климатическое исполнение и категория размещения по ГОСТ
15150-69 (У2, Т3).

Условия эксплуатации

Оптотиристоры допускают эксплуатацию при температуре окружающей среды от минус 40 (для У2) и минус 10°С (для Т3) до максимально допустимой температуры перехода (с соответствующим снижением тока нагрузки), атмосферном давлении от 86 до 106 кПа, относительной влажности от 45 до 80% при температуре 25°С. Тип атмосферы I и II по ГОСТ 15150-69. Оптотиристоры предназначены для эксплуатации во взрывобезопасных и химически неактивных средах в условиях, исключающих воздействие различных излучений (нейтронного, электронного, g-излучения и т.п.). Оптотиристоры по прочности и устойчивости к воздействию в эксплуатации механических нагрузок соответствуют группе М27 условий эксплуатации по ГОСТ 17516.1-90. Допускают воздействие вибрационных нагрузок в диапазоне частот от 1 до 100 Гц с ускорением 50 м/с2 и одиночных ударов длительностью импульса 50 мс с ускорением 40 м/с2. Рекомендуемый охладитель - пластина толщиной не менее 0,5 мм с площадью поверхности не менее 16 см2 (с одной стороны) и тепловым сопротивлением не более 18°С/Вт. Теплопроводность материала охладителя не менее 210 Вт/(м·град). Оптотиристоры соответствуют требованиям ТУ У 3.69-0575571-017-98. ТУ У 3.69.0575571.017-98

Технические характеристики

Предельно допустимые значения параметров оптотиристоров приведены в табл. 1, характеристики - в табл. 2.

Таблица 1

ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ОПТОТИРИСТОРОВ

Параметр и единица измерения Буквенное обозначение Значение

параметра для типов оптотиристоров

 Условия установления норм на параметры

ТО115-5 ТО115-10

Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и повторяющееся импульсное обратное напряжение, В, для классов:
1
2
4
5
6
8
9
10
11
12

 UDRM
URRМ


100
200
400
500
600
800
900
1000
1100
1200

Tjmin ? Tj ? Tjm
Импульс напряжения – синусоидальный однополупериодный, ti ? 10 мс, f = 50 Гц

 

Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и неповторяющееся импульсное обратное напряжение, В

 UDSM
URSМ		 1,12UDRM
1,12URRМ

Tjmin ? Tj ? Tjm
Импульс напряжения – синусоидальный однополупериодный одиночный, ti ? 10 мс.
Цепь управления разомкнута

Рабочее импульсное напряжение в
закрытом состоянии и рабочее импульсное обратное напряжение, В

 UDWM
URWМ		 0,8UDRM
0,8URRМ

Tjmin ? Tj ? Tjm
Импульс напряжения – синусоидальный однополупериодный, ti ? 10 мс, f = 50 Гц

Постоянное напряжение в закрытом состоянии и постоянное обратное напряжение, В

 UD
UR		 0,6UDRM
0,6URRМ

Tc = 70 ° C
Цепь управления разомкнута

Средний ток в открытом состоянии, А

 IТ(АV) 5

10

Tc = 70 ° C
Импульс тока – синусоидальный однополупериодный,
ti = 10 мс, f = 50 Гц

Действующий ток в открытом состоянии, А

 IТRМS 8,8

15,7

Импульс тока – синусоидальный однополупериодный,
ti = 10 мс, f = 50 Гц

Ударный ток в открытом состоянии, А

 IТSМ 110

165

Tj = 25 ° С

100

150

Tjm = 100 ° C
UR = 0.
Импульс тока – синусоидальный, однополупериодный одиночный, ti=10 мс

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии, А/мкс

 (diТ/dt)сrit 50

Tj = Tjm, UD = 0,67 UDRM,
5IT(AB) ? ITM ? 2 IT(AV)
Импульс тока – синусоидальный однополупериодный

Температура перехода, ° С:

максимально допустимая

 Tjm 100 -

минимально допустимая

 Tjmin -40 (для У2)

-10 (для Т3)

Температура хранения, ° С:

максимально допустимая

 Tstgm 40 (для У2)

50 (для Т3)

 -

минимально допустимая

 Tstgmin -40 (для У2)

-10 (для Т3)

Таблица 2

ХАРАКТЕРИСТИКИ ОПТОТИРИСТОРОВ

Параметр и единица измерения Буквенное обозначение Значение параметра для типов оптотиристоров Условия установления норм на параметры
ТО115-5 ТО115-10

Импульсное напряжение в открытом состоянии, В, не более

 UТМ 2,00 1,85

Tj = 25 ° C,
IТМ = 3,14 IТ(АV)

Пороговое напряжение в открытом состоянии, В

 UТ(ТО) 0,9

Tj = Тjm

Динамическое сопротивление в открытом состоянии, Ом

 rТ 0,07 0,03

Tj = Тjm

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии и повторяющийся импульсный обратный ток, мА, не более

 IDRM
IRRМ		 2,5

Tj = Tjm,
UD = UDRM,
UR = URRМ

Ток включения, мА

 IL 30

Tj = 25 ° C, UD = 12 В
Режим цепи управления:
форма импульса тока – трапецеидальная,
амплитуда 250 мА,
tG = 50 мкс,
diG/dt = 0,5 А/мкс,
внутреннее сопротивление источника
управления ? 30 Ом

Ток удержания, мА, не более

 IН 10

Tj = 25 ° C, UD = 12 В
Цепь управления разомкнута

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии, В/мкс, не менее, для групп:
0
1
2
3
4
5
6
7

 (duD/dt)сrit

Не нормируется
20
50
100
200
320
500
1000

Tj = Tjm,
UD = 0,67 UDRM,
tid ? 200 мкс,
UD(t = 0) = 0
Цепь управления разомкнута

Время задержки, мкс

 tgd 5

Tj = 25 ° C, UD = 100 В, IТМ = IТ(AV)
Режим в цепи управления:
форма импульса тока управления – трапецеидальная,
амплитуда 250 мА,
tG ? 50 мкс,
diG/dt = 0,5 А/мкс,
внутреннее сопротивление источника
управления ? 30 Ом

Время включения, мкс

 tgt 7

Время включения, мкс, не более

 tq 80

Tj = Tjm, IТМ = IТ(AV)
(diТ/dt)f = 5 В/мкс, ti ? 250 мкс,
duD/dt = 50 В/мкс, UDM = 0,67 UDRМ

Заряд обратного восстановления, мкКл

 Qrr 12 16

Tj = Tjm, UR = 100 В,
(diт/dt)f = 5 А/мкс, IТМ = IТ(AV),
ti ? 250 мкс

Импульсный обратный ток восстановления, А

 IrrМ 9 11

Время обратного восстановления, мкс

 trr 2,6 2,9

Отпирающий импульсный ток управления, мА, не более

 IGТМ 600
400
250

Tj = –40 ° C
Tj = –10 ° C
Tj = 25 ° C, tG = 100 мкс

Отпирающее импульсное напряжение
управления, В, не более

 UGТМ 5,0
4,0
3,5

Tj = –40 ° C
Tj = –10 ° C
Tj = 25 ° C, UD = 12 В, diG/dt = 0,5 А/мкс

Неотпирающее импульсное напряжение управления, В, не менее

 UGDМ 0,9

Tj = Tjm
Напряжение источника управления – постоянное

Электрическая прочность изоляции между беспотенциальным основанием оптотиристора и его основными выводами (действующее значение), В

 UВМ 2000

Напряжение синусоидальное, f = 50 Гц
Длительность приложения напряжения 60 с
Атмосферное давление 84,0–106,7 кПа
Относительная влажность 40–80%
при Т = 25 ° С

Электрическая прочность изоляции между основными выводами и выводами управляющего электрода (действующее значение), В

 UМG 1600

Напряжение синусоидальное, f = 50 Гц
Длительность приложения
напряжения > 10 с
Атмосферное давление 84,0–107,7 кПа
Относительная влажность 40–80%
при Т = 25 ° С

Сопротивление изоляции между
беспотенциальным основанием оптотиристора и его основными выводами, МОм, не менее

 RВМ 30

Относительная влажность 40–80%

3

Относительная влажность 80%
Tj = 25+10 ° C
Атмосферное давление <106,7 кПа

Сопротивление изоляции между основными выводами и выводами управляющих электродов, МОм, не менее

 RМG 6,0

Относительная влажность 40–80%

0,6

Относительная влажность > 80%
Tj = 25+10 ° C
Атмосферное давление <106,7 кПа

Тепловое сопротивление переход – корпус, ° С/Вт

 Rthjс –

Постоянный ток

Масса, кг, не более

 – 0,004

–

Допустимые значения параметров оптотиристоров с рекомендуемым охладителем приведены в табл. 3.

Таблица 3

ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ОПТОТИРИСТОРОВ С ОХЛАДИТЕЛЕМ

Параметр и единица измерения Буквенное обозначение Значение параметра для типов оптотиристоров Условия установления норм на параметры
ТО115-5 ТО115-10
Охладитель – пластина площадью 16 см2

Средний ток в открытом состоянии, А

 ТТ(АV) 2 3

Естественное охлаждение Tcf = 40 ° С

Тепловое сопротивление переход – среда, ° С/Вт, не более

 Rthjа 19,6 18,0

Естественное охлаждение
Постоянный ток Tcf = 40 ° С

Тепловое сопротивление корпус – контактная поверхность охладителя, ° С/Вт

 Rthсh 0,2

Постоянный ток

Функциональные зависимости параметров и характеристик оптотиристоров представлены на рис. 1-20, габаритные и присоединительные размеры - на рис. 21.

Предельные вольт-амперные характеристики в открытом состоянии при температуре перехода Tj = 25°C (1) и Tj = Tjm (2) а - ТО115-5; б - ТО115-10

Зависимость допустимого среднего тока в открытом состоянии Iт() от температуры корпуса Tс при углах проводимости q = 30 (1), 60 (2), 90 (3), 120 (4), 180° эл. (5) для токов синусоидальной формы частотой f = 50 Гц а - ТО115-5; б - ТО115-10

Зависимость допустимого среднего тока в открытом состоянии Iт() от температуры корпуса Tс при углах проводимости q = 30 (1), 60 (2), 90 (3), 120 (4), 180° эл. (5) для токов синусоидальной формы частотой f = 50 Гц и постоянном токе (6) а - ТО115-5; б - ТО115-10

Зависимость допустимой амплитуды ударного тока в открытом состоянии Iт от длительности импульса тока t при температуре перехода Tj = 25°C (1) и Tj = Tjm (2) а - ТО115-5; б - ТО115-10

Зависимость средней рассеиваемой мощности в открытом состоянии Pт() от среднего тока в открытом состоянии Iт() синусоидальной формы при углах проводимости q = 30 (1), 60 (2), 90 (3), 120 (4), 180° эл. (5) для токов синусоидальной формы частотой f = 50 Гц а - ТО115-5; б - ТО115-10

Зависимость средней рассеиваемой мощности в открытом состоянии Pт() от среднего тока в открытом состоянии Iт() прямоугольной формы при углах проводимости q = 30 (1), 60 (2), 90 (3), 120 (4), 180° эл. (5) для токов синусоидальной формы частотой f = 50 Гц а - ТО115-5; б - ТО115-10

Зависимость времени включения t (1) (отн. ед.) и времени задержки t (2) (отн. ед.) от амплитуды управляющего импульса IF при температуре перехода Tj = 25°C, di/dt = 0,5 А/мкс, t = 50 мкс, U = 100 В, Iт = Iт()

Зависимость времени выключения t (отн. ед.) от обратного напряжения U при температуре перехода Tj = Tjm, Iт = Iт(), (diт/dt) = 5 А/мкс, du/dt = 50 В/мкс, U = 0,67 U

Зависимость времени выключения t (отн. ед.) от скорости спада тока в открытом состоянии (diт/dt) при температуре перехода Tj = Tjm, Iт = Iт(), U = 100 В, du/dt = 50 В/мкс, U = 0,67 U

Зависимость времени выключения t (отн. ед.) от скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии du/dt при температуре перехода Tj = Tjm, U = 0,7 U, U = 100 В, Iт = Iт(), diт/dt = 5 А/мкс

Зависимость времени выключения t (отн. ед.) от амплитуды предшествующего тока в открытом состоянии Iт (отн. ед.) при температуре перехода Tj = Tjm, diт/dt = 5 А/мкс, du/dt = 50 В/мкс, U = 0,67 U, U = 100 В

Зависимость времени выключения t (отн. ед.) от температуры перехода Tj при Iт = Iт(), (diт/dt) = 5 А/мкс, U = 100 В, U = 0,67 U, du/dt = 50 В/мкс

Зависимость времени обратного восстановления trr (отн. ед.) от скорости спада тока в открытом состоянии (diт/dt) при температуре перехода Tj = Tjm, U = 100 В и предшествующем токе в открытом состоянии Iт = 0,5 Iт() (1), Iт = Iт() (2), Iт = 1,5 Iт() (3)

Зависимость заряда обратного восстановления Qrr (отн. ед.) от скорости спада тока в открытом состоянии (diт/dt) при температуре перехода Tj = Tjm, U = 100 В и предшествующем токе в открытом состоянии Iт = 0,5 Iт() (1), Iт = Iт() (2), Iт = 1,5 Iт() (3)

Зависимость амплитуды выброса обратного тока I от скорости спада тока в открытом состоянии (diт/dt) при температуре перехода Tj = Tjm, U = 100 В и предшествующем токе в открытом состоянии Iт = 0,5 Iт() (1), Iт = Iт() (2), Iт = 1,5 Iт() (3)

Таблица к рис. 16

Позиция на рисунке Скважность, К Длительность импульса тока управления tG,мс Импульсная рассеиваемая мощность управления pGM, Вт
1 1 Постоянный ток 0,28
2 2 10,0 0,55
3 20 1,0 5,0
4 40 0,5 10,0
5 Область негарантированного отпирания
Предельные характеристики цепи управления Uт - отпирающее постоянное напряжение управления; Iт - отпирающий постоянный ток управления

Зависимость допустимого среднего тока в открытом состоянии Iт() от температуры охлаждающей среды Tс при углах проводимости q = 30 (1), 60 (2), 90 (3), 120 (4), 180° эл. (5) для токов синусоидальной формы частотой f = 50 Гц Охладитель - пластина площадью 16 см2 а - ТО115-5; б - ТО115-10

Зависимость допустимого среднего тока в открытом состоянии Iт() от температуры охлаждающей среды Tс при углах проводимости q = 30 (1), 60 (2), 90 (3), 120 (4), 180° эл. (5) для токов синусоидальной формы частотой f = 50 Гц и постоянного тока (6) Охладитель - пластина площадью 16 см2 а - ТО115-5; б - ТО115-10

Зависимость допустимой амплитуды тока перегрузки в открытом состоянии I() синусоидальной формы частотой f = 50 Гц от длительности перегрузки t() при температуре охлаждающей среды Tс = 40°C и значении отношения предшествующего среднего тока в открытом состоянии к максимально допустимому среднему току в открытом состоянии: К = 0 (1), 0,5 (2), 0,75 (3), 1,0 (4) Охладитель - пластина площадью 16 см2 а - ТО115-5; б - ТО115-10

Зависимость переходного теплового сопротивления переход - корпус Z(jс) и переходного теплового сопротивления переход - среда Z(jа) от времени t при температуре охлаждающей среды Tс = 40°C Охладитель - пластина площадью 16 см2 а - ТО115-5; б - ТО115-10

Габаритные и присоединительные размеры оптотиристоров типов ТО115-5 и ТО115-10: m1 и m2 - контрольные точки измерения импульсного напряжения в открытом состоянии; S - толщина; A - область контроля температуры корпуса оптотиристоров; +G, -G - управляющие выводы; 1 - основной вывод 1 (катод); 2 - основной вывод 2 (анод); 3 - полярность светодиода

В комплект поставки входят: оптотиристор и этикетка на партию оптотиристоров, транспортируемых в один адрес.

Характеристики Электротехнического оборудования

Характеристики станков

Характеристики КПО

Характеристики импортного оборудования

Характеристики насосного оборудования

Марки стали и сплавов

Прочее оборудование
© Машинформ | Справочник содержания драгоценных металлов | mashinform@bk.ru