Диоды быстровосстанавливающиеся лавинные типа ДЧЛ133-320

Общие сведения

Диоды типа ДЧЛ133-320 изготовляются для внутренних поставок и поставок на экспорт в страны с умеренным и холодным климатом. Диоды предназначены для применения в статических преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных установок, в которых требуются в первую очередь малые времена обратного восстановления и высокое значение ударной обратной мощности рассеивания.

Структура условного обозначения

ДЧЛ133-320-Х-Х-Х:
Д - диод;
Ч - быстровосстанавливающийся;
Л - лавинный;
1 - порядковый номер модификации конструкции;
3 - обозначение диаметра корпуса;
3 - обозначение конструктивного исполнения корпуса;
320 - максимально допустимый средний прямой ток, А;
Х - класс по напряжению;
Х - группа по времени обратного восстановления;
Х - климатическое исполнение и категория размещения. ОПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ КЛИМАТИЧЕСКИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ Диоды типа ДЧЛ133-320 выпускаются в климатическом исполнении УХЛ, категории размещения 2 по ГОСТ 15150 и ГОСТ 15543. Диоды допускают эксплуатацию при температуре окружающей среды от минус 60 до 50°С. Диоды устойчивы к воздействию непроводящей пыли неабразивного действия. Диоды климатического исполнения УХЛ работоспособны при выпадении на них инея с последующим его оттаиванием. ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ МЕХАНИЧЕСКИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ Диоды типа ДЧЛ133-320 допускают воздействие вибрационных нагрузок в диапазоне частот 1-100 Гц с ускорением 49 м/с2, многократных ударов длительностью 2-15 мс с ускорением 147 м/с2, одиночных ударов длительностью 50 мс с ускорением 39,2 м/с2. Вероятность безотказной работы за время 1000 ч - не менее 0,999. Диоды типа ДЧЛ133-320 изготовляются в соответствии с требованиями ТУ16-92 ЕАИГ.432414.005 ТУ. Рекомендуемый охладитель типа О143 соответствует требованиям ТУ16-729.377-83 и каталога 05.20.06-92. Диоды типа ДЧЛ133-320 изготовляются в таблеточном исполнении. В конструкции диодов использован унифицированный металлокерамический корпус с выступающими медными электродами. Высокая точность обработки контактных поверхностей обеспечивает значительное снижение электрического и теплового сопротивлений диодов. С этой же целью используются серебряные прокладки и специальное покрытие кремниевой структуры. Неплоскостность контактных поверхностей диодов - не более 0,01 мм, шероховатость поверхностей - не более 0,63 мкм. Надежный электрический и тепловой контакты обеспечиваются за счет приложения осевого усилия сжатия. При этом охладитель и система прижима должны обеспечивать равномерное давление по всей площади контактных поверхностей диодов. Значение осевого прижимного усилия при сборке диодов с охладителем приведено в табл. 1. Для улучшения контактного соединения диода с охладителем рекомендуется смазка типа КПТ-8 по ГОСТ 19783-74. В преобразовательных устройствах диоды следует устанавливать таким образом, чтобы обеспечить беспрепятственное их охлаждение и предохранить от дополнительного подогрева со стороны соседней аппаратуры. Наличие подогрева необходимо учитывать при расчете режимов эксплуатации диодов. Изоляторы диодов при эксплуатации необходимо периодически очищать от пыли и других загрязнений. Эксплуатация и контроль электрических параметров диодов без соответствующего внешнего сжатия со стороны оснований не допускаются. ТУ 16-92 ЕАИГ.432414.005 ТУ

Технические характеристики

Предельно допустимые значения параметров диодов типа ДЧЛ133-320 представлены в табл. 1, характеристики - в табл. 2 и на рис. 1-12.

Таблица 1

ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ДИОДОВ

Буквенное обозначение Параметр и единица измерения Значение параметра Условия установления норм на параметры
URRМ Повторяющееся импульсное напряжение, В, для классов:
16
18
20
22


1600
1800
2000
2200

Тj от минус 60 ° С до Тjm
Форма импульса напряжения – однополупериодная, синусоидальная; t = 10 мс

U(ВR) Пробивное напряжение, В, для классов:
16
18
20
22

1800
2000
2200
2400

Тj от минус 60 ° С до Тjm

UR

Постоянное обратное напряжение


0,75 ? URRМ

Тj от минус 60 ° С до Тjm

IF(АV)

Средний прямой ток, А

320

Тс = 85 ° С
Форма импульса тока – однополупериодная, синусоидальная.
Угол проводимости q = 180 ° эл; f = 50 Гц

IF(RМS)

Действующий прямой ток, А

628

f = 50 Гц

IFSМ

Ударный прямой ток, кА,
не более

6,0
6,5

Тj = Тjm
Тj = 25 ° С
Форма импульса тока – однополупериодная, синусоидальная;
t = 10 мс; UR = 0; f – одиночные импульсы

РRSМ

Ударная обратная рассеиваемая мощность, кВт


14

t = 100 мкс; Тjm = 125 ° С;
f – одиночный импульс
Форма импульса тока – синусоидальная

Тjm
Тjmin

Температура перехода, ° С:
максимально допустимая
минимально допустимая


125
-60
Тstgm
Тstgmin

Температура хранения, ° С:
максимально допустимая
минимально допустимая


50
-60

Усилие сжатия, Н

8000±1600

Таблица 2

ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДОВ

Буквенное обозначение Параметр и единица измерения Значение параметра Условия установления норм на параметры
U

Импульсное прямое напряжение, В, не более

2,1

Тj = 25 ° С; IF = 3,14·IF(АV)

U(ТО)

Пороговое напряжение, В, не более

1,1

Тj = Тjm

rТ

Динамическое сопротивление, мОм, не более

0,8
IRRМ

Повторяющийся импульсный обратный ток, мА, не более

40

Тj = Тjm; UR = URRМ

Qrr

Заряд обратного восстановления, мкКл, не более

200

Тj = Тjm; IF = IF(AV); UR = 100 В;
(diF/dt)F = 50 А/мкс.
Форма тока в открытом состоянии – трапецеидальная

trr Время обратного восстановления, мкс, для групп:
Т4(6)
Р4(5)
М4(4)
К4(3)

1,6
2,0
2,5
3,2
 
Rthjс

Тепловое сопротивление переход–корпус, ° С/Вт, не более

0,05

Постоянный ток

Rthjс-А

Тепловое сопротивление переход–анодный вывод корпуса, ° С/Вт,
не более

0,1

Постоянный ток

Rthjс-К

Тепловое сопротивление переход–катодный вывод корпуса, ° С/Вт, не более

0,1

Постоянный ток

Интенсивность отказов, 1/ч

1·106  

Масса диода, кг

0,17  

Предельные прямые вольт-амперные характеристики при температуре перехода 25°С (1) и 125°С (2)

Частотная зависимость импульсного тока от длительности импульса тока трапецеидальной формы tр с diF/dt = 100 А/мкс и при температуре корпуса Тс = 85°С IF = 700 А (1), 1000 А (2), 1500 А (3), 2000 А (4), 3000 А (5), 4000 А (6), 5000 А (7), 6000 А (8), 8000 А (9), 10000 А (10)

Зависимость энергии на один импульс Еj от длительности импульса тока трапецеидальной формы tр с diF/dt = 100 А/мкс и при температуре перехода Тj = 125°С IF = 100 А (1), 200 А (2), 300 А (3), 500 А (4), 700 А (5), 1000 А (6), 1500 А (7), 2000 А (8), 3000 А (*9), 4000 А (10), 5000 А (11), 6000 А (12), 8000 А (13), 10000 А (14)

Зависимость приращения температуры на один импульс D Т от длительности импульса тока трапецеидальной формы tр с diF/dt = 100 А/мкс и при температуре перехода Тj = 125°С IF = 100 А (1), 200 А (2), 300 А (3), 500 А (4), 700 А (5), 1000 А (6), 1500 А (7), 2000 А (8), 3000 А (9), 4000 А (10), 5000 А (11), 6000 А (12), 8000 А (13), 10000 А (14)

Частотная зависимость импульсного тока от длительности импульса тока синусоидальной формы tр при температуре корпуса Тс = 85°С IF = 1000 А (1), 1500 А (2), 2000 А (3), 3000 А (4), 4000 А (5), 5000 А (6), 6000 А (7), 8000 А (8), 10000 А (9)

Зависимость энергии на один импульс Еj от длительности импульса тока синусоидальной формы tр при температуре перехода Тj = 125°С IF = 100 А (1), 200 А (2), 300 А (3), 500 А (4), 700 А (5), 1000 А (6), 1500 А (7), 2000 А (8), 3000 А (9), 4000 А (10), 5000 А (11), 6000 А (12), 8000 А (13), 10000 А (14)

Зависимость приращения температуры на один импульс D Т от длительности импульса тока синусоидальной формы tр при температуре перехода Тj = 125°С IF = 100 А (1), 200 А (2), 300 А (3), 500 А (4), 700 А (5), 1000 А (6), 1500 А (7), 2000 А (8), 3000 А (9), 4000 А (10), 5000 А (11), 6000 А (12), 8000 А (13), 10000 А (14)

Зависимость энергии потерь в обратном направлении на один импульс Еrr от скорости спада прямого тока (diF/dt) при температуре перехода Тj = 125 ° С IF = 250 А (1), 500 А (2), 1000 А (3), 2000 А (4)

Зависимость приращения температуры перехода на один импульс DТj от скорости спада прямого тока (diF/dt) (при обратном восстановлении) при температуре перехода Тj = 125°С IF = 250 А (1), 500 А (2), 1000 А (3), 2000 А (4)

Зависимость максимального заряда обратного восстановления Qrr от скорости спада прямого тока (diF/dt) при температуре перехода Тj = 125°С IF = 250 А (1), 500 А (2), 1000 А (3), 2000 А (4), 250 А (5) - при минимальном заряде обратного восстановления

Зависимость ударной обратной рассеиваемой мощности Р от длительности импульса тока синусоидальной формы tр при температуре перехода Тj = 125°С

Переходное тепловое сопротивление переход-корпус Zjс (5) и переход-среда Zjа при скорости охлаждающего воздуха 0 м/с (1), 3 м/с (2), 6 м/с (3), 12 м/с (4) Габаритные и присоединительные размеры приведены на рис. 13.

- Диоды поставляются без охладителей. К каждой партии диодов, транспортируемых в один адрес, прикладываются паспорт, техническое описание и инструкция по эксплуатации.

Характеристики Электротехнического оборудования

Характеристики станков

Характеристики КПО

Характеристики импортного оборудования

Характеристики насосного оборудования

Марки стали и сплавов

Прочее оборудование

© Машинформ | Справочник содержания драгоценных металлов | mashinform@bk.ru